ESH2PDHM3/84A 产品概述

一、产品简介

Vishay 的 ESH2PDHM3/84A 属于 ESH2PD 系列的高电流密度表面贴装超快恢复二极管，设计用于对开关损耗、热管理与封装密度有较高要求的电源与电力电子场景。该器件为标准型整流二极管，最大反向电压 200 V，平均整流电流 2 A，结合超快的反向恢复特性，能在高频开关条件下提供低损耗与低辐射干扰性能。

二、主要特性

• 最大反向电压（Vr）：200 V（最大值）
• 平均整流电流（Io）：2 A
• 正向压降（Vf）：0.98 V @ If = 2 A
• 反向恢复时间（trr）：25 ns（典型）
• 快速恢复：≤ 500 ns（在 Io > 200 mA 条件下定义为快速恢复）
• 反向泄漏电流：1 µA @ Vr = 200 V
• 二极管结电容：25 pF @ Vr = 4 V，1 MHz
• 封装：DO-220AA（SMP，表面贴装）
• 结温工作范围：-55 °C ~ +175 °C
• 品牌与系列：VISHAY，ESH2PD Series

这些特性使 ESH2PDHM3/84A 在中功率、高开关频率场合具有良好的综合性能——既能承受较高电压、在较大电流下保持较低的正向压降，又能因短的反向恢复时间而在开关瞬态中减少能量回收与 EMI。

三、电气性能要点（工程视角）

• 在 2 A 负载下 Vf ≈ 0.98 V，意味着正向导通时每只器件约产生 2 W 左右的瞬时功耗（Pd ≈ If × Vf），系统设计时需考虑热耗散与散热路径。
• 反向泄漏仅 1 µA @ 200 V，适合待机或低功耗场景，减少漏电相关损耗。
• 25 pF 的结电容在高速开关或高频整流中有助于抑制开关尖峰，但在极高频应用中仍需注意寄生影响。
• trr = 25 ns 表明该器件属于超快恢复类型，适用于开关电源（如二次整流）、同步整流替代、降压/升压转换器的自由轮回二极管等应用，能显著降低反向恢复引起的开关损耗与振铃。

四、封装与热管理

DO-220AA（SMP）表面贴装封装在保持高电流能力的同时支持自动化装配。该封装提供合理的热阻，配合 PCB 铜箔与过孔布局可将结温控制在安全范围内。建议在 PCB 设计中：

• 在器件下方与相邻铜箔区域增加扩散的散热铜层（若多层板可接地/电源层做为散热平面）。
• 在散热铜区分布通孔，把热量传导到背面大铜箔或散热片。
• 尽量缩短与输入/输出电容之间的回流回路，减小寄生电感，降低开关振铃与应力。

五、典型应用

• 开关电源（SMPS）二次整流与输出整流
• 电机驱动与伺服电源的自由轮回二极管
• 电池充电器与适配器
• 逆变器、UPS 与通信电源模块
• 极端环境或高温工作要求的工业电子设备

六、封装/装配与可靠性建议

• 推荐按 Vishay 建议的焊接工艺与回流曲线进行装配；在无厂方曲线时，遵循通用无铅回流规范并避免超过器件最大结温。
• 进行热仿真与热测量以验证在最大工作电流下的结温与 PCB 温升。
• 在高频开关场合，增加 RC 或 RCD 吸收网络以减少尖峰电压对器件的应力，延长寿命。

七、选型要点

• 若需求更低的正向压降可考虑肖特基管，但须权衡反向耐压与反向泄漏；若对反向恢复时间有更高要求，可在更高速系列中比较 trr 与开关损耗。
• 在高温或长寿命要求的应用中确保结温裕量充足（器件最高结温 +175 °C）。

总结：ESH2PDHM3/84A 以其 200 V 耐压、2 A 整流能力与 25 ns 的超快恢复时间，为中功率、高开关频率电源系统提供了平衡的电气与热性能，是要求高电流密度、低开关损耗和自动化贴装的工程应用中的优选器件。若需电气特性曲线、热阻与封装尺寸详情，建议参考 Vishay 官方数据手册以完成最终设计验证。