MSQ1PJHM3/H 产品概述

一、产品简介

MSQ1PJHM3/H 是 VISHAY（威世）推出的一款表面贴装型标准恢复二极管，采用 MicroSMP（DO-219AD）封装，面向要求高反向耐压和中等电流整流能力的电源与保护应用。器件以其高达 600V 的直流反向耐压、1A 的平均整流电流以及在高压条件下仍保持低反向泄漏的特性，在高压开关电源、整流与保护电路中具有良好适配性。

二、主要规格与特点

• 安装类型：表面贴装（SMD），封装型号 MicroSMP（DO-219AD）。
• 最大直流反向电压（Vr）：600V。适合中高压场合。
• 平均整流电流（Io）：1A，适用于中小功率整流与续流。
• 正向压降（Vf）：典型 1.2V @ If = 1A。
• 反向泄漏电流：典型 1µA @ Vr = 600V，适合对漏电有一定要求的高压电路。
• 结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C，宽温度范围便于高温环境使用（需按功率散热要求降额）。
• 反向恢复时间（trr）：约 650ns（标准恢复型），在一些快速开关场合需注意恢复损耗。
• 结电容（Cj）：约 4 pF @ 4V, 1 MHz，低结电容有利于减少高频耦合影响。
• 封装可靠性：MicroSMP 小型 SMD，适合自动贴装与回流焊流程。

三、典型应用场景

• 开关电源中的整流与续流环节（尤其是对速度要求不极端苛刻的拓扑）；
• 高压直流/交流整流与保护电路；
• 继电器/感性负载的续流二极管（在允许较长恢复时间的情形下）；
• 测试与测量设备中需要 600V 耐压且漏电低的保护路径；
• 其他中小功率电源模块与工业电子设备。

四、使用建议与 PCB 布局要点

• 散热设计：尽管 Io 为 1A，但 MicroSMP 封装面积有限，高平均功耗时应通过加宽焊盘、增加底部铜面积及必要的散热过孔（thermal vias）将热量引导至内部/背面铜层，避免长期在高结温下工作。
• 回流焊与焊接：符合常规 SMD 回流工艺，注意封装与焊盘的湿润性以保证良好焊点。
• 布局原则：保持二极管输入/输出走线短而粗，尽量减小寄生电感，尤其在高压开关环境中能减少电压尖峰与振铃。
• 速率限制：由于为标准恢复型（trr ≈ 650 ns），在高频、高边沿速率的开关场合会产生较高恢复损耗与电磁干扰，必要时考虑在二极管并联 RC 抑制或替换为快恢复 / 肖特基器件。
• 温度降额：在接近上限结温时应按厂商热阻与功率-温度曲线进行电流/功率降额，以保证可靠性与寿命。

五、选型参考与替代方案

• 若系统对反向恢复时间或开关损耗敏感，考虑使用快恢复二极管（Fast Recovery）或超快恢复器件；
• 若需要更低正向压降以提高效率，可选用耐压匹配的肖特基二极管，但需注意肖特基在高电压下的耐压与漏电特性；
• 若应用强调瞬态抑制，应与 TVS 器件配合以保护系统免受脉冲过压影响。

六、总结

MSQ1PJHM3/H（VISHAY）是一款面向中小功率、高耐压场景的标准恢复表面贴装二极管，600V 耐压、1A 整流能力与低漏电特性使其在高压整流与保护应用中具有竞争力。设计时需关注其较长的反向恢复时间与封装散热能力，在需要更高速或更低压降的场合，根据应用特性选择快恢复或肖特基替代器件。