型号:

1.5KE56A

品牌:ST(意法半导体)
封装:DO-201
批次:24+
包装:-
重量:-
其他:
-
1.5KE56A 产品实物图片
1.5KE56A 一小时发货
描述:Diode: TVS; 1.5kW; 56V; 19.5A; unidirectional; DO201; Ammo
库存数量
库存:
671
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:600
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.46
600+
1.34
产品参数
属性参数值
极性单向
反向截止电压(Vrwm)47.8V
钳位电压100V
峰值脉冲电流(Ipp)100A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)1.5kW@10/1000us
击穿电压56V
反向电流(Ir)1uA
类型TVS
Cj-结电容1800pF

1.5KE56A 产品概述

一、产品简介

1.5KE56A 是 ST(意法半导体)推出的一款单向瞬态电压抑制(TVS)二极管,额定峰值脉冲功率 1.5kW(测试波形 10/1000µs)。该器件设计用于吸收瞬态过电压能量,保护敏感电子元件免受雷击、静电放电或开关瞬变等干扰。封装为 DO-201 轴向引线形式,提供 Ammo 卷带包装,便于自动化装配。极性为单向,外形上有阴极带标记,便于识别安装方向。

二、关键电气参数与意义

  • 反向截止电压 Vrwm:47.8V(稳压工作电压),表示在正常反向工作状态下器件允许的最大直流电压。
  • 击穿电压(Vbr):56V,表示开始进入雪崩导通的电压点。
  • 钳位电压 Vc:100V(在规定脉冲条件下),为在峰值脉冲时被限制的最大电压,用于评估被保护电路在冲击时的最高承受电压。
  • 峰值脉冲功率 Ppp:1.5kW(10/1000µs),表征器件在该标准波形下可吸收的能量能力。
  • 峰值脉冲电流 Ipp:100A(8/20µs),常用于表示在标准雷击波形下的最大脉冲电流能力。
  • 结电容 Cj:约 1800pF,较大的结电容对高速信号线(如数据、视频)可能产生影响,需要在设计时考虑。
  • 反向漏电流 Ir:约 1µA(在 Vrwm 下),低漏电利于不影响电路静态工作点。

三、应用场景

  • 工业电源与配电保护:直流/交流电源输入端的浪涌防护。
  • 汽车电子(非安全关键路径):车载电源线或非关键通信线的瞬态保护(需符合汽车级认证时注意选型)。
  • 通信与基站设备:对电源总线、信号引入接口进行浪涌吸收。
  • 电机驱动、变频器与开关电源:保护整流桥、控制模块免受开关瞬态冲击。

四、选型与应用建议

  • 工作电压匹配:选用 Vrwm 稍高于电路正常工作电压的型号,避免常态下产生漏流或误触发。
  • 钳位要求:根据被保护组件最大承受电压选择钳位低且能量吸收足够的型号;本器件钳位约 100V 需确认下游元件耐压。
  • 结电容考虑:Cj=1800pF 对高速/高频信号可能引入失真或带宽限制,若用于数据线请评估影响或改用低容型 TVS。
  • 热与安装:DO-201 为轴向大体积封装,具有较好热容量;焊接与布板时保证良好热散和短回流路径,必要时配合散热片或热铜箔。
  • 包装与自动化:Ammo 包装适合自动装配线,但轴向器件需注意锡焊工艺与机械固定。

五、注意事项与可靠性

  • 单向 TVS 在反向方向时提供稳压保护,正向导通相当于普通二极管正向压降,请留意电路耦合。
  • 长时间频繁承受大能量脉冲会导致器件热疲劳或参数漂移,应结合熔断或多级保护方案使用。
  • 存储与焊接按厂商推荐的温度回流曲线执行,避免超温或潮湿导致性能退化。

本产品(1.5KE56A)适合需要中高能量瞬态吸收、对结电容容忍度较高的电源和工业场景。选型时请结合实际工作电压、被保护器件耐压及脉冲波形进行全面评估;如需在高速信号线上使用,可优先考虑低结电容的替代型号或增加隔离措施。