型号:

1N5819RL

品牌:ST(意法半导体)
封装:DO-41
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
-
1N5819RL 产品实物图片
1N5819RL 一小时发货
描述:肖特基二极管 550mV@1A 40V 500uA@40V 1A
库存数量
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:5000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.277
5000+
0.252
产品参数
属性参数值
正向压降(Vf)550mV@1A
直流反向耐压(Vr)40V
整流电流1A
反向电流(Ir)500uA@40V
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)25A

1N5819RL肖特基整流二极管产品概述

一、产品核心定位

1N5819RL是意法半导体(ST) 推出的低压肖特基整流二极管,属于小功率轴向插件器件,针对低电压、低功耗整流场景设计,兼容DO-41标准封装,可广泛应用于消费电子、汽车辅助电路、小型电源等领域,是替代传统硅整流管的高效选型。

二、关键电气参数深度解析

作为肖特基二极管,其核心参数围绕“低功耗、快响应、耐浪涌”三大特性展开,具体如下:

2.1 正向低功耗特性

正向压降(Vf)为550mV@1A,这是肖特基二极管区别于普通硅整流管的核心优势——仅为传统硅管(如1N4001)的一半左右。在1A持续整流电流下,整流环节功耗仅0.55W,可有效降低系统发热,提升电源转换效率,尤其适合对功耗敏感的电池供电设备或小型开关电源。

2.2 反向耐压与漏电流

  • 直流反向耐压(Vr):40V,满足12V/24V低电压系统的整流需求,可覆盖汽车电子、消费电子等常见低压场景,应对系统瞬态电压波动仍能保持稳定;
  • 反向漏电流(Ir):500uA@40V,该参数在同规格肖特基二极管中表现优异,漏电流远低于部分竞品,可减少反向导通时的额外功耗,提升系统待机稳定性。

2.3 电流与浪涌耐受能力

  • 持续整流电流(If):1A,可满足多数小功率负载的持续工作需求(如小型LED驱动、路由器电源等);
  • 非重复峰值浪涌电流(Ifsm):25A,支持短时间(如开机瞬间、瞬态脉冲)的大电流冲击,无需额外浪涌保护器件即可应对常见过流风险,提升系统可靠性。

三、封装与物理特性

1N5819RL采用DO-41轴向插件封装,具有以下特点:

  • 尺寸紧凑:直径约2.7mm,长度约5.2mm,适合PCB布局紧凑的场景;
  • 安装便捷:轴向引线设计,可通过通孔焊接固定,无需特殊工具;
  • 散热适配:DO-41封装的热阻(约150℃/W)可满足1A持续电流下的散热需求,常规环境温度(-55℃~150℃)下无需额外散热片。

四、典型应用场景

结合参数特性,1N5819RL适用于以下场景:

  1. 12V/24V电源适配器整流:如手机充电器、笔记本电脑小功率适配器的次级整流,低Vf提升转换效率;
  2. 汽车电子辅助电路:车载USB充电模块、仪表盘电源的整流环节,40V耐压可应对汽车系统的瞬态电压波动;
  3. 消费电子低功耗整流:路由器、机顶盒、智能音箱的电源整流,减少待机功耗,延长设备寿命;
  4. 小型开关电源次级:配合开关管实现5V/12V输出,肖特基的快恢复特性(ns级)适合高频开关场景;
  5. 反向保护辅助:作为反向截止二极管,防止设备接反电源时损坏后端电路。

五、品牌与可靠性说明

ST意法半导体作为全球知名半导体厂商,1N5819RL具备以下可靠性优势:

  • 工业级品质:符合AEC-Q101(汽车级)等可靠性标准,批量一致性好,参数偏差小;
  • 环保合规:满足RoHS、REACH等环保要求,无铅封装,适配绿色制造需求;
  • 应用验证:经过多年市场验证,在消费电子、汽车电子等领域广泛应用,故障概率低。

六、选型优势总结

相比同规格竞品(如其他品牌1N5819),1N5819RL的核心优势在于:

  • 低Vf+低漏电流:双重降低功耗,适合低电压系统;
  • 高浪涌耐受:25A Ifsm应对瞬态冲击,减少保护成本;
  • 品牌可靠性:ST的品质保障,量产风险低。

综上,1N5819RL是一款性价比高、可靠性强的低压肖特基整流二极管,可满足多数小功率低电压整流场景的需求。