型号:

CJX3439K

品牌:CJ(江苏长电/长晶)
封装:SOT-563
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
CJX3439K 产品实物图片
CJX3439K 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1.1V 20V 750mA 1个N沟道
库存数量
库存:
859
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.2322
3000+
0.2052
产品参数
属性参数值
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)750mA
导通电阻(RDS(on))380mΩ@4.5V;270mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))1.1V
输入电容(Ciss)79pF
反向传输电容(Crss)9pF
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)15pF;13pF

CJX3439K 产品概述

一、产品简介

CJX3439K 为 CJ(江苏长电/长晶)推出的小功率场效应管,额定漏源电压 Vdss = 20V,适用于低压快速开关与功率管理场合。器件在小型 SOT-563 封装中实现了较低的导通电阻和小的栅极/输出电容,便于在便携式设备与高密度 PCB 设计中实现紧凑方案。

二、主要特点

  • 额定电压:Vdss = 20V,适合 5V 及以下电源系统应用。
  • 连续漏极电流:Id = 750mA,可满足小电流负载驱动要求。
  • 低导通电阻:RDS(on) 在 VGS = 4.5V 条件下为 380mΩ(N沟道典型值),另一通道/型号典型值为 270mΩ,适合低功耗开关应用。
  • 低栅极/传输电容:Ciss ≈ 79pF,Crss ≈ 9pF,Coss(N) ≈ 15pF,Coss(P) ≈ 13pF,开关损耗低,适用于快速切换。
  • 闸极阈值:Vgs(th) ≈ 1.1V,兼顾门驱动灵敏度与泄漏控制。
  • 小型封装:SOT-563,利于高密度安装与空间受限场合。

三、电气参数(典型)

  • 漏源极电压(Vdss):20V
  • 连续漏极电流(Id):750mA
  • 导通电阻(RDS(on)):380mΩ @ VGS=4.5V(N沟道典型);270mΩ @ VGS=4.5V(对应另一沟道或配对型号典型)
  • 阈值电压(VGS(th)):1.1V(典型)
  • 输入电容(Ciss):≈79pF
  • 反向传输电容(Crss):≈9pF
  • 输出电容(Coss):≈15pF(N沟道)/ ≈13pF(P沟道或配对)

注:上述为典型参数,实际选型时请参考器件完整数据手册中的额定值与温度依赖曲线。

四、封装与热管理

SOT-563 为超小型封装,适用于空间受限的移动设备与便携终端。由于封装体积有限,器件的散热能力受限,长时间大电流工作或高占空比情况下需在 PCB 版面上增加散热铜箔或搭配热路径设计,避免结温过高影响可靠性与 RDS(on)。

五、典型应用场景

  • 便携式设备电源管理(电源开关、负载切换)
  • 电池供电系统与保护电路
  • LED 驱动小电流开关
  • 低电压 DC-DC 降压开关器件(低侧开关)
  • 信号开关与接口电平转换(要求低电容与低导通电阻的场合)

六、选型与设计注意事项

  • 驱动电压:为获得标称 RDS(on),建议栅极驱动达到约 4.5V;若驱动电压不足,导通电阻会显著上升。
  • 温升管理:在高频或接近额定电流工作时,应评估功耗(Pd ≈ I^2·RDS(on))并做好 PCB 散热设计。
  • 开关损耗:器件栅极与输出电容较小,有利于降低开关损耗,但在高频应用仍需注意栅极驱动能量与驱动路径阻抗。
  • ESD 与装配:小封装对焊接与搬运要求较高,遵循制造商的焊接温度曲线与静电防护规范。

七、可靠性与存储

建议按厂家推荐的储存条件(温度、湿度)保存,避免潮湿环境导致回流焊前发生吸湿而导致封装裂纹或焊接缺陷。装配时遵循回流焊工艺规范,必要时进行焊接后外观与功能检测。

总结:CJX3439K 以 20V 电压等级、较低的导通电阻与小电容特性为特点,适合便携式与低压电源管理场景。在选型与 PCB 设计时需兼顾封装散热与驱动电压,以实现最佳性能与可靠性。如需进一步的典型曲线、封装尺寸或热阻等详细参数,请参考 CJ 官方数据手册或联系供应商获取完整资料。