R6004JNXC7G 产品概述

一、产品简介

R6004JNXC7G 为 ROHM（罗姆）推出的通孔 N 沟道功率 MOSFET，耐压等级 600V，器件在额定条件下可提供 4A 连续漏极电流，适用于高压开关与功率转换场合。封装为 TO-220FM，便于散热安装与通孔焊接，适合需要较高耐压且对导通损耗要求不是极低的应用。

二、关键参数解读

• 漏源电压 Vdss：600V，适合高压电源与离线转换器。
• 连续漏极电流 Id：4A（Tc），注意为在壳体温度 Tc 下的额定值，实际应用须考虑散热与封装温升。
• 导通电阻 RDS(on)：1.43Ω @ Vgs=15V、Id=2A，表明器件导通损耗较大，适合低频高压切换或作为开关元件而非低压大电流导通场合。
• 耗散功率 Pd：35W（Tc），需结合合适散热片和良好热路径使用。
• 栅极电荷 Qg：10.5nC @ Vgs=15V，中等栅极电荷量，驱动电路需考虑驱动能力以满足开关速度要求。
• 输入电容 Ciss：260pF @ 100V，影响开关瞬态与驱动能量。
• 工作结温 Tj：-55℃ ~ +150℃，器件耐温范围宽。

三、应用场景建议

本型号适用于：

• 离线开关电源（低至中功率的反激、准谐振等拓扑）；
• 初级侧高压开关、PFC 前端（低频或间歇工作）；
• 高压继电器/驱动器、工业电源与测试设备的高压开关元件； 注意：因 RDS(on) 较高，不推荐用于需长期大电流低压导通的场合。

四、封装与热管理

TO-220FM 封装便于安装大面积散热器，Pd 以 Tc 为准达 35W。实际设计中须：

• 使用合适散热片并保证良好热接触；
• 在 PCB 上为通孔引脚和散热片预留足够铜面以改善热流；
• 考虑环境温度与热阻，必要时进行热仿真与结温评估。

五、使用注意事项

• 驱动电压建议采用接近 15V（符合 RDS(on) 测试条件）以获得较低导通电阻，但若驱动能力受限请评估导通损耗上升；
• 开关瞬态需配合栅极电阻（常见 10–47Ω）与吸收网络（RC 或 RCD）以抑制振铃和能量回灌；
• 加入续流二极管或斩波回路以保护器件免受感性负载反向电压冲击；
• 使用前查阅完整数据手册，确认击穿能量、SOA 与器件在非理想条件下的限制。

六、总结

R6004JNXC7G 是一款面向高压开关应用的通孔 N 沟道 MOSFET，600V 耐压与中等功率耗散能力使其在离线电源与工业高压开关场合具有实用性。设计时需重视其较高的导通电阻与热管理要求，通过合适的驱动与保护电路可以获得稳定可靠的工作表现。建议在方案选型阶段结合实际负载、电流波形与热条件进行评估。