SMF16VTFTR 产品概述

一、概述

SMF16VTFTR 是 ROHM（罗姆）推出的一款用于静电与浪涌防护的瞬态电压抑制二极管（TVS/ESD）。该器件针对电子系统中的静电放电（ESD）和工业/汽车类瞬态冲击（浪涌）提供快速钳位与吸收能力，可有效保护敏感半导体元件与接口电路。

二、主要参数与特性

• 类型：TVS（瞬态电压抑制器）
• 钳位电压（VC）：26 V（在规范脉冲条件下）
• 击穿电压（Vbr）：17.2 V
• 反向截止电压（Vrwm）：16 V（表明为单向工作点）
• 峰值脉冲功率（Ppp）：200 W @ 10/1000 μs（短时浪涌吸收能力）
• 峰值脉冲电流（Ipp）：7.7 A @ 10/1000 μs
• 反向电流（Ir）：100 nA（静态电流极小，适合低漏电路）
• 防护等级：符合 IEC 61000-4-2（静电放电防护标准）
• 封装：SOD-123FL（小尺寸、便于贴片安装）

三、应用场景

• USB、串口、I/O 接口和信号线的ESD与浪涌防护
• 电源输入处对短时浪涌的抑制与吸收
• 通信设备、消费电子、工业控制和车载电子中对敏感芯片的保护
• 需要低漏电、快速钳位且占板面积小的场合

四、封装与安装建议

SOD-123FL 小封装便于高密度板设计。建议布局时将 SMF16VTFTR 靠近需要保护的接口或器件，走线尽量短且宽，保证泄放路径直接且阻抗低。对于高能量冲击场景，配合限流电阻、熔断器或浪涌抑制网络使用，可提高整体可靠性。

五、选型与注意事项

1. 若系统工作电压接近或高于 Vrwm（16 V），需选用更高 Vrwm 的器件或使用双向方案。
2. 10/1000 μs 工况下 Ppp=200 W 能吸收短时大能量，但不等同于连续功耗，频繁或长时间冲击需做散热与等级冗余设计。
3. 反向漏电仅 100 nA，适合对漏电敏感的便携与电池设备。
4. 验证器件在目标温度与 PCB 材料下的钳位特性，必要时做样机实测。

六、典型接法

常见接法为将 SMF16VTFTR 单端接地（单向），一端并联于被保护线与地之间；在差分或双向保护场合可采用对称器件或双元件组合。总体原则为：最短回流路径、最小串联电感、并与系统其他保护元件协同工作。