型号:

HTLP181GB-S

品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装:SOP-4
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
HTLP181GB-S 产品实物图片
HTLP181GB-S 一小时发货
描述:晶体管输出光耦 DC 光电三极管 50mA 1.15V
库存数量
库存:
4679
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.504
200+
0.325
1500+
0.283
3000+
0.25
产品参数
属性参数值
输入类型DC
输出类型光电三极管
正向压降(Vf)1.15V
输出电流50mA
隔离电压(Vrms)3.75kV
直流反向耐压(Vr)5V
负载电压80V
输出通道数1
集射极饱和电压(VCE(sat))100mV@20mA,1mA
上升时间(tr)12us
下降时间12us
工作温度0℃~+70℃
电流传输比(CTR)最小值50%
电流传输比(CTR)最大值/饱和值600%
正向电流(If)50mA

HTLP181GB-S 产品概述

一、简介

HTLP181GB-S 是华轩阳电子(HXY MOSFET)推出的一款单通道晶体管输出光耦。器件采用 SOP-4 封装,输入为直流 LED 驱动,输出为光电三极管,适用于需要电气隔离与信号接口的场合,具备高隔离电压与较大输出能力的特点。

二、核心参数

  • 隔离电压(Vrms):3.75 kV
  • 输入类型:DC(LED)
  • 正向电流(If):50 mA(测试/最大条件)
  • 正向压降(Vf):约 1.15 V(If=50 mA 条件下)
  • 直流反向耐压(Vr):5 V
  • 电流传输比(CTR):最小 50%,最大/饱和值可达 600%(与 If 和 VCE 有关)
  • 输出类型:光电三极管
  • 输出电流:最大 50 mA
  • 负载电压(VCEO 或许可承受):最高 80 V
  • 集射极饱和电压(VCE(sat)):约 100 mV(给定测试条件:20 mA, 1 mA)
  • 上升/下降时间(tr / tf):约 12 μs
  • 工作温度范围:0 ℃ ~ +70 ℃
  • 封装:SOP-4,单通道

三、主要特性与优势

  • 高隔离能力:3.75 kVrms 适用于工业控制、通信模块等需高安全隔离的应用。
  • 大输出承载:最高 50 mA 输出电流与 80 V 负载电压,便于驱动中等负载或做开关接口。
  • 低饱和电压:VCE(sat) ≈100 mV(在指定条件),可减少导通损耗,提高效率。
  • 宽 CTR 范围:50%~600%,在不同驱动条件下可提供灵活的电平转换能力;需根据实际 If/VCE 选择工作点。
  • 紧凑封装:SOP-4 方便表面贴装与批量生产。

四、典型应用

  • 微控制器与高压电路之间的信号隔离
  • 工业自动化接口、继电器驱动前端
  • 电源管理与电源监控电路的隔离检测
  • 通信接口与光电隔离模块

五、使用建议与注意事项

  • 驱动 LED 时注意 If 与 Vf 匹配,若以 50 mA 驱动,Vf≈1.15 V,需计算限流电阻并考虑散热。
  • CTR 受温度、If、输出电压影响较大,设计时应按最小 CTR 考虑保证可靠触发。
  • 速度性能受限于 tr/tf≈12 μs,适合低速至中速信号隔离,不适用于高频高速数据链路。
  • 输出端若作开集电极使用,应配置合适上拉电阻并留意最大承受电压 80 V。
  • 工作温度仅至 70 ℃,在高温环境需加强散热或选用更高温等级器件。
  • 在安全要求较高的系统中,请依据完整数据手册检查爬电距离与材料分级,满足系统认证需求。

六、封装与资料

HTLP181GB-S 为 SOP-4 单通道封装,适合表面贴装生产。建议在设计前下载并参照完整数据手册以获取详细管脚定义、电气特性曲线及可靠性测试数据,确保在目标应用中的参数匹配与长期稳定性。若需替代或批量采购,请与华轩阳电子或授权分销商确认最新版本资料与供应情况。