74HC573 产品概述

一、产品简介

74HC573 是一种高速 CMOS 八路 D 型锁存器，具有三态（高阻）输出功能，适用于数据暂存与总线隔离应用。该器件在 LE（锁存使能）有效时实现输入到输出的透明传递，在 LE 失能时保持先前锁存的数据；通过 OE（输出使能）控制输出为有效电平或高阻状态，从而方便多主总线或多设备共享同一路线。HXY MOSFET（华轩阳电子）供应的 74HC573 提供 SOP-20 封装，适用于表面贴装工艺的中小批量与批量生产。

二、主要特性

• 输出类型：三态（高阻）输出，支持总线共享与多设备复用。
• 通道数：8 路 D 型锁存通道（Q0~Q7）。
• 工作电压：2.0 V ~ 6.0 V，兼容 3.3 V 与 5 V 系统。
• 工作温度范围：-40 ℃ ~ +85 ℃，适用于工业级温度环境。
• 低静态电流：典型 Iq = 8 μA（静态，节能特性）。
• 高速性能：传播延迟 tpd ≈ 14 ns（典型），适合中高速逻辑控制需求。
• 时序指标：建立时间（tsetup）≈ 4 ns，保持时间（thold）≈ 1 ns。
• 封装形式：SOP-20，便于 PCB 布局与插装自动化。

三、关键电气参数（典型值）

• VCC 范围：2 V 至 6 V（推荐在系统电压下工作，注意噪声裕度）。
• 静态电流 Iq：约 8 μA（典型）。
• 传播延迟 tpd：约 14 ns（从有效控制信号或输入变化到输出变化）。
• 建立/保持时间：建立时间 4 ns，保持时间 1 ns（保证锁存可靠性的时序要求）。

四、引脚与封装

• 常见引脚分配包括：D0D7（数据输入）、Q0Q7（数据输出）、LE（锁存/透明控制）、OE（输出使能，通常为低有效）、VCC、GND。
• SOP-20 封装占位小、散热与可焊性良好，适合常见 SMT 工艺。实际引脚排列请参考产品数据手册以确保接线正确。

五、工作与时序说明

• 锁存工作：当 LE（Latch Enable）处于使能状态（通常为高电平）时，输入 D 的电平会透明传递到输出 Q；当 LE 变为失能（低电平）时，Q 保持最后一次通过 LE 时的输入状态。
• 三态输出：OE（Output Enable）用于控制 Q 输出是否驱动；当 OE 为有效状态（通常为低电平）时，输出按照 Q 的逻辑状态输出；当 OE 为失能（高电平）时，所有输出进入高阻态，从而实现与总线隔离。
• 时序注意：在 LE 由高转低锁存边沿前，应保证输入数据满足建立时间（≥4 ns）与保持时间（≥1 ns）要求，以避免不确定锁存。输出在 OE 控制下进入或退出高阻状态，其传播延迟需在系统时序预算内考虑（约 14 ns）。

六、典型应用与电路要点

• 总线驱动与隔离：用于微控制器或总线系统中对数据总线的暂存、分时访问或多片选通，适配主控与外设之间的并行数据缓冲。
• I/O 口扩展：作为通用端口扩展器，将并行数据短期锁存后由主控读取或驱动外设。
• 数据暂存与输出保持：用于数模转换前数据的稳态保持或多路数据切换场景。
• 布线与电源：建议在 VCC 近端放置 0.1 μF 陶瓷去耦电容，避免开关瞬态引起的电压跌落。避免输入引脚悬空，所有未使用输入应拉到确定电平（通过上拉/下拉电阻）。

七、选型与使用注意事项

• 电压兼容性：74HC 系列对电源电压和输入电平有明确要求，工作时请确保 VCC 在 2~6 V 范围内，且所有接口电平与系统电压匹配。
• 温度与功耗：在高温或高频率切换下，关注功耗与发热，必要时评估散热与工作裕量。
• 时序裕量：在设计时应留足 tsetup 和 thold 的裕度，避免因布局或走线延迟导致的采样错误。
• ESD 与静电保护：在装配及调试阶段注意静电防护，SOP 封装裸露焊盘附近避免尖锐物体接触引脚。

八、包装与品牌信息

• 供应商：HXY MOSFET（华轩阳电子）。
• 封装：SOP-20，适合自动贴装与回流焊工艺。
• 若需更详细的引脚图、时序图与完整电气特性，请参考 HXY 提供的产品数据手册（Datasheet）以获取量产与认证阶段所需的全部规范数据。

以上为 74HC573 的功能说明与应用要点，适合用于需要八路锁存与总线共享控制的中低速数字系统。若需具体电路示例或与其他器件（如缓冲器、总线收发器）联用的参考布局，可提供电路拓扑进一步讨论。