型号:

ZMM20V

品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装:LL-34
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
ZMM20V 产品实物图片
ZMM20V 一小时发货
描述:稳压二极管 独立式 20V 18.8V~21.2V 100nA@1V
库存数量
库存:
2485
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.146
100+
0.0487
1250+
0.0305
2500+
0.0238
产品参数
属性参数值
二极管配置独立式
稳压值(标称值)20V
反向电流(Ir)100nA
稳压值(范围)18.8V~21.2V
耗散功率(Pd)500mW
阻抗(Zzt)55Ω
阻抗(Zzk)220Ω

ZMM20V 产品概述

一、产品简介

ZMM20V 是华轩阳电子(HXY MOSFET)推出的一款独立式稳压二极管(齐纳二极管),标称稳压值为 20V,适用于小功率稳压、浪涌钳位及参考电压源等场合。该器件采用 LL-34 小封装,体积小、易于安装,适合空间受限的消费电子和工业控制电路。

二、主要参数

  • 稳压(标称):20V
  • 稳压范围:18.8V ~ 21.2V
  • 反向漏电流 Ir:100nA(@ 1V)
  • 最大耗散功率 Pd:500mW
  • 动态阻抗 Zzt:55Ω
  • 动态阻抗 Zzk:220Ω
  • 配置形态:独立式(单个二极管)
  • 封装:LL-34
  • 品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子)

三、产品特性

  • 小封装、高可靠:LL-34 封装便于表面贴装或通孔安装,适配自动化生产。
  • 稳定的稳压性能:在其规定的测试点下可保持接近 20V 的稳压输出,稳压值公差范围 18.8V~21.2V。
  • 低漏电流:反向漏电流仅 100nA(@1V),适合对漏电敏感的电路设计。
  • 快速响应:作为齐纳管,能在过压瞬变时提供限压保护。
  • 低功耗应用优选:500mW 耗散能力适用于小功率参考与钳位场景。

四、典型应用

  • 小型电源的稳压参考源与电压基准
  • 输入浪涌或瞬变过压保护(钳位器)
  • 模拟电路偏置与温度补偿网络
  • 工业控制、通信设备及便携式电子产品中的低功耗稳压单元

五、封装与热管理

LL-34 封装散热能力有限,器件的最大耗散功率 Pd 为 500mW。在实际应用中建议考虑:

  • 在较高环境温度或长期功率消耗场合对耗散进行退让设计;
  • 通过合理的 PCB 铜箔面积或散热垫提升热扩散;
  • 避免在接近额定功耗下长期工作以延长寿命。

六、选型与使用注意事项

  • 根据电路工作点选择合适的稳流条件,避免过高的稳流导致过热;
  • 留意稳压范围(18.8V~21.2V)是否满足系统容差要求;
  • 在对噪声和阻抗敏感的场合,考虑 Zzt(55Ω)与 Zzk(220Ω)对输出纹波的影响;
  • 严格遵守器件的最大反向电压和功率限制,避免击穿损坏。

ZMM20V 以其稳定的电压特性、低漏电和小型封装,在需小功率稳压与过压保护的场景中具有很好的实用性,适合广大电子设计工程师在多种应用中选用。