型号:

BC847A

品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装:SOT-23
批次:两年内
包装:编带
重量:-
其他:
-
BC847A 产品实物图片
BC847A 一小时发货
描述:三极管(BJT) 300mW 45V 100mA NPN
库存数量
库存:
4248
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.17
200+
0.0565
1500+
0.0353
3000+
0.028
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)45V
耗散功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE)110@2mA,5V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)15nA
集射极饱和电压(VCE(sat))600mV
射基极击穿电压(Vebo)6V

BC847A 产品概述

一、产品简介

BC847A 是一款小信号 NPN 双极型晶体管,华轩阳电子(HXY MOSFET)以 SOT-23 封装提供该型号,适用于低电流开关和小信号放大场合。器件具有较高的直流电流增益和良好的高频特性,适合便携式电子、消费类产品与信号链路中的常规放大与驱动任务。

二、主要电气参数

  • 晶体管类型:NPN
  • 集电极电流 (Ic):最大 100 mA
  • 集-射极击穿电压 (Vceo):45 V
  • 最大耗散功率 (Pd):约 200 mW(SOT-23 封装,受温度影响需注意降额)
  • 直流电流增益 (hFE):约 110(在 Ic=2 mA、VCE=5 V 条件下)
  • 特征频率 (fT):约 100 MHz,适合小信号放大到较高频率范围
  • 集电极截止电流 (Icbo):典型 15 nA(表征漏电流小,适合高阻抗电路)
  • 集电极饱和电压 (VCE(sat)):典型 600 mV(在规定的 IB/Ic 条件下)
  • 发射-基极击穿电压 (Vebo):约 6 V

以上参数以生产商数据为准,具体应用时建议参照 HXY 提供的完整数据手册。

三、应用场景

  • 小信号放大:前置放大、低频音频放大及中频增益级,借助 100 MHz 的 fT 可在中高频段工作。
  • 开关驱动:作为逻辑电平控制的小型开关,用于驱动指示灯、继电器隔离驱动(在允许电流范围内)。
  • 电平移位与缓冲:高增益与低漏电流适合用作信号缓冲与电平转换。
  • 通用电子电路与便携设备:SOT-23 小型化封装便于 PCB 高密度布局。

四、封装与管脚

封装:SOT-23(小型三脚封装),典型管脚排列(制造商略有差异,请以数据手册为准):

  • 引脚 1:集电极 (C)
  • 引脚 2:基极 (B)
  • 引脚 3:发射极 (E)

SOT-23 封装热阻较大,工作时应考虑 PCB 铜箔散热及环境温度对 Pd 的影响。

五、使用建议与注意事项

  • 功耗管理:在 SOT-23 封装下 Pd 约为 200 mW,实际允许功耗随环境温度线性降额,长期工作请保证结温和环境温度在安全范围内。
  • 饱和驱动:若作为开关使用,确保基极有足够驱动电流以降低 VCE(sat),但避免基极电流过大导致器件超出最大功耗。
  • 静电保护:建议在装配及运输过程中采取 ESD 防护措施,避免损坏基极-发射极结。
  • 封装一致性:不同制造批次或厂商的管脚和特性可能有细微差异,量产设计前应做样品验证。

六、比较与替代

BC847A 在 45 V 级、100 mA 的小信号晶体管中属于常用型号。若需要更高功耗或更低 VCE(sat),可考虑更大封装或专用低饱和晶体管;若电流需求更小或需更低噪声,可选用专用低噪声型号。选型时应综合考虑 Vceo、Ic、hFE、fT 与封装热性能。

七、采购与可靠性

华轩阳电子(HXY MOSFET)提供 BC847A 的 SOT-23 产品,常见为无铅环保封装。采购时请确认批次、原厂或授权分销商渠道并获取完整规格书与检验报告,以保证长期可靠性与一致性。

总结:BC847A 在小尺寸封装下提供了平衡的电流能力、增益与频率响应,适合多种通用小信号应用。设计时重视功耗与散热、参照厂商资料以确保电路稳定运行。