HXY F7 产品概述

一、产品简介

HXY F7 是华轩阳电子（HXY MOSFET）推出的一款独立式快恢复/高效率二极管，封装为 SOD-123F。该器件针对中高压整流与开关电源回流、钳位等应用进行了优化，具有 1kV 的直流反向耐压和 1A 的持续整流能力，正向压降仅 1.3V（@1A），同时具备较低的反向漏电和良好的浪涌承受能力，是需要高压、可靠整流性能的电源系统的理想选择。

二、主要电气参数

• 类型：独立式快恢复二极管（F7）
• 正向压降：Vf = 1.3V @ If = 1A
• 直流反向耐压：Vr = 1000V
• 连续整流电流：If = 1A
• 反向漏电流：Ir = 5 μA @ Vr = 1000V
• 反向恢复时间：Trr = 500 ns
• 非重复峰值浪涌电流：Ifsm = 30A（单次脉冲）
• 工作结温范围：Tj = -65 ℃ ~ +150 ℃
• 封装：SOD-123F（表面贴装，适合自动化贴装）

三、关键特性与优势

• 高电压耐受：1000V 的反向耐压使其适合高压整流、HVDC、离网逆变器以及电力电子的高压桥堆应用。
• 低正向压降：1.3V @ 1A 在整流和开关回路中可有效降低导通损耗，提升效率。
• 低反向漏电：在高电压条件下仅 5 μA 的漏电流，有利于减少空载损耗与电路漂移，尤其适用于高阻电路或高压倍压电路。
• 中等快恢复特性：500 ns 的反向恢复时间比普通整流二极管快，能减小开关损耗与峰值应力，但并非超快速（如肖特基）级别，适合中等开关频率的电源设计。
• 强浪涌能力：30A 的非重复峰值浪涌电流增强了对启动、短路或电容充放电等瞬态事件的承受能力。
• 宽温区可靠性：-65 ℃ 至 +150 ℃ 的结温范围适应工业与严苛环境。

四、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）与整流桥：作为高压整流或续流二极管使用，提升转换效率。
• 功率因数校正（PFC）与高压倍压电路：高耐压与低漏电适合电网侧高压整流。
• LED 驱动、电源适配器：在需要电气隔离和高压耐受的驱动电路中使用。
• 工业逆变器与不间断电源（UPS）：用于整流及续流保护。
• 钳位与吸收电路：取代慢速整流器以减小开关应力与振铃。
• 高频脉冲及高压发生器：在中等频率下提供可靠整流性能。

五、设计与使用注意事项

• 热管理：在 If = 1A 与 Vf = 1.3V 条件下，耗散功率约为 1.3W。SOD-123F 封装的散热依赖于 PCB 铜箔面积与散热布局，建议在引脚周围增加散热铜箔并优化热过孔以降低结温；必要时在布局上留出更大的散热平面或通过并联器件分散热负荷。
• 开关频率选择：500 ns 的反向恢复时间表明 F7 适用于中等开关频率（通常在几十 kHz 到约 100 kHz 级别）的电源设计；在高频（几百 kHz 以上）场合，需评估反向恢复引入的额外损耗和 EMI，必要时考虑更快的器件或肖特基方案。
• 浪涌保护：Ifsm = 30A 为单次峰值，区分非重复与重复浪涌应用；在存在频繁大电流冲击的场合，应评估器件寿命并采取限流或软启动等保护措施。
• 焊接与可靠性：遵循 SOD-123F 的回流焊工艺曲线，避免过度热应力；在高温环境或长寿命产品中进行必要的加速应力测试与验证。

六、封装与订货信息

• 封装：SOD-123F，适配常规 SMT 自动贴装与回流焊工艺。
• 标识：型号标称为 HXY F7（华轩阳电子出品），订购时请注明完整型号与数量，确认电压等级和包装形式（盘带或托盘）。
• 可靠性与检测：建议在最终应用中进行温升、浪涌与长期老化测试以确认在目标工况下的可靠性。

总结：HXY F7 将高电压耐受、低漏电与中等快恢复特性结合在 SOD-123F 的小尺寸封装中，适用于要求高压整流与中等开关频率的电源系统。合理的热设计与开关频率匹配可以发挥其高效率与高可靠性的优势。若需进一步的仿真参数（如热阻、典型电容、电压-电流特性曲线）或样品测试资料，可联系供应方获取完整规格书与应用笔记。