型号:

SBR2U60S1F-7

品牌:DIODES(美台)
封装:SOD-123F
批次:两年内
包装:编带
重量:0.04g
其他:
-
SBR2U60S1F-7 产品实物图片
SBR2U60S1F-7 一小时发货
描述:超势垒整流器(SBR) 510mV@2A 60V 150uA@60V 2A
库存数量
库存:
332
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.548
3000+
0.51
产品参数
属性参数值
二极管配置1个独立式
正向压降(Vf)510mV@2A
直流反向耐压(Vr)60V
整流电流2A
反向电流(Ir)150uA@60V
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)35A
工作结温范围-55℃~+175℃

SBR2U60S1F-7 产品概述

一、概述

SBR2U60S1F-7 为 DIODES(美台)出品的一款超势垒整流器(Super Barrier Rectifier,SBR),为单只独立式二极管。该器件在中低压整流和开关电源应用中提供接近肖特基的低正向压降同时兼具较低的反向漏电流,旨在降低导通损耗并提高系统效率。

二、主要参数

  • 二极管数量:1 个(独立式)
  • 正向压降(Vf):510 mV @ 2 A
  • 直流反向耐压(Vr):60 V
  • 连续整流电流:2 A
  • 反向电流(Ir):150 μA @ 60 V
  • 非重复峰值浪涌电流(Ifsm):35 A(按器件规范测定)
  • 工作结温范围:-55 ℃ ~ +175 ℃
  • 品牌/产地:DIODES(美台)
  • 封装:SOD-123F(表面贴装)

三、器件特性与优势

  • 低正向压降:510 mV @ 2 A 的低 Vf 有助于显著降低导通损耗,适合需要高效率的电源路径。
  • 低反向漏电:60 V 下 150 μA 的反向漏电在同类小封装整流器中表现良好,适用于高压侧或待机模式对泄漏敏感的场合。
  • 耐浪涌能力:35 A 的非重复峰值浪涌能力可满足启动、短时过载或充放电瞬态需求。
  • 宽温度范围:-55 ℃ 到 +175 ℃ 的结温允许在苛刻环境和高温工作条件下可靠运行。
  • 封装优势:SOD-123F 小体积、表面贴装,便于高密度布板和自动化生产。

四、典型应用场景

  • 开关电源(SMPS)输出整流与同步整流补充
  • 适配器与充电器输出整流
  • DC-DC 转换器与逆变器的整流回路
  • 汽车电子(在满足AEC标准前提下)及工业电源模块
  • LED 驱动、通信设备与电池保护电路

五、封装与热管理

SOD-123F 为小型表面贴装封装,热阻相对较高,实际连续电流能力受PCB散热影响明显。推荐在PCB上提供足够的铜箔面积或散热过孔以降低结温,并将器件放置于气流通畅位置以改善散热性能。

六、设计建议与注意事项

  • 在高电流或高温工况下,对导通损耗和结温进行热仿真与实测验证,必要时采用更大铜箔或散热片。
  • 反向漏电随温度上升而显著增加,待机或高阻态应用需评估在最高工作温度下的漏电影响。
  • 浪涌电流能力为非重复峰值,避免重复或长时间超限冲击以防器件损伤。
  • 参考厂商完整数据手册中的封装尺寸与焊接工艺建议,确保可靠的焊接与机械强度。

七、结论

SBR2U60S1F-7 以其低正向压降、可控的反向漏电与较宽的结温范围,适合对效率与热稳定性有较高要求的中低压整流场合。结合合理的PCB散热设计与使用规范,可为电源系统带来明显的能耗与热管理优化。若需更详细的电气特性、封装尺寸或可靠性数据,建议参阅 DIODES 的完整数据手册。