型号:

LMV651MGX/NOPB

品牌:TI(德州仪器)
封装:SC-70-5
批次:25+
包装:编带
重量:0.033g
其他:
-
LMV651MGX/NOPB 产品实物图片
LMV651MGX/NOPB 一小时发货
描述:运算放大器 3V/us 单路 80nA 12MHz
库存数量
库存:
1071
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.24
3000+
2.15
产品参数
属性参数值
放大器数单路
最大电源宽度(Vdd-Vss)5.5V
轨到轨轨到轨输出
增益带宽积(GBP)12MHz
输入失调电压(Vos)100uV
输入失调电压温漂(Vos TC)6.6uV/℃
压摆率(SR)3V/us
输入偏置电流(Ib)80nA
输入失调电流(Ios)15nA
噪声密度(eN)17nV/√Hz@1kHz
共模抑制比(CMRR)100dB
静态电流(Iq)116uA
输出电流18.5mA
工作温度-40℃~+125℃
单电源2.7V~5.5V

LMV651MGX/NOPB 产品概述

一、简介

LMV651MGX/NOPB 是德州仪器(TI)出品的一款单路运算放大器,定位为低失调、低噪声、低功耗的精密放大单元。该器件适用于对直流精度和小信号噪声有较高要求的便携或工业应用,支持单电源供电并提供轨到轨输出性能,便于与低电压系统和模数转换器(ADC)直接接口。

二、主要特性

  • 单路放大器,最大电源电压宽度(VDD–VSS):5.5V
  • 单电源工作电压范围:2.7V ~ 5.5V
  • 轨到轨输出(Rail-to-Rail Output)
  • 增益带宽积(GBP):12 MHz
  • 压摆率(SR):3 V/µs
  • 输入失调电压(Vos):100 µV,温漂(Vos TC):6.6 µV/℃
  • 输入偏置电流(Ib):80 nA,失调电流(Ios):15 nA
  • 噪声密度(en):17 nV/√Hz @ 1 kHz
  • 共模抑制比(CMRR):100 dB
  • 静态电流(Iq):116 µA
  • 输出电流:18.5 mA
  • 工作温度范围:-40 ℃ ~ +125 ℃
  • 封装:SC-70-5(小型封装,便于空间受限的设计)
  • 无铅(NOPB)

三、性能亮点

  • 高精度:100 µV 的低输入失调与 6.6 µV/℃ 的低温漂,使得 LMV651 非常适合高精度直流测量、精密基准缓冲和仪表放大器前端。
  • 低噪声:17 nV/√Hz 的噪声密度在低电平信号采集时能显著改善信噪比,适合传感器信号调理和音频前端应用。
  • 低功耗且驱动能力适中:116 µA 的静态电流保证了电池供电设备长续航,同时 18.5 mA 的输出电流能驱动常见负载和后级 ADC 的采样电容。
  • 中速带宽与压摆率:12 MHz 的 GBP 与 3 V/µs 的 SR 支持多级有源滤波、缓冲和中等带宽放大场合。

四、典型应用

  • 传感器前端(温度、电流、电压信号放大)
  • 精密基准缓冲/电平移位
  • ADC 驱动与采样保持缓冲
  • 便携仪表与电池供电设备
  • 有源滤波器与信号调理电路
  • 低噪声音频前置放大(如便携式麦克风前端)

五、封装与系统集成

LMV651 提供 SC-70-5 小型封装,适合空间受限的移动和便携设备。器件支持宽温度范围(-40 ℃ ~ +125 ℃),适合工业级应用。设计时建议在电源引脚附近放置 0.1 µF 低 ESR 陶瓷退耦电容,尽量缩短走线以降低寄生电感和抑制高频振荡。

六、设计建议与注意事项

  • 失调与漂移:虽然 Vos 很低,但在超高精度多级放大应用中仍应考虑输入偏置电流对高阻源阻抗的影响,可通过减小源阻抗或在输入引脚并联匹配阻抗来降低误差。
  • 布局与退耦:靠近电源引脚放置退耦电容并保证良好地平面,有助于稳定性和降低射频干扰。
  • 输出摆幅:轨到轨输出在接近电源轨时会有一定限制,负载重时输出摆幅会受影响,建议在设计裕度上预留 50~100 mV。
  • 温度与长期稳定性:高精度应用应考虑温漂影响,必要时结合外部温度补偿或定期校准。

七、总结

LMV651MGX/NOPB 以其超低失调、低噪声、低功耗和轨到轨输出的组合特性,成为精密传感、ADC 驱动与便携测量设备中的理想放大器选择。小巧的 SC-70-5 封装和宽温度范围,使其既适用于消费类便携产品,也满足工业环境的可靠性需求。设计时合理处理电源退耦、输入阻抗匹配与热稳定性,即可发挥该器件的最佳性能。