MHL324PT03BRT 光电晶体管产品概述

一、产品简介

MHL324PT03BRT 是美华（MEIHUA）出品的一款通过孔插件式光电晶体管，封装为直径3mm的透明/半透型立式管壳，响应峰值波长为940nm（典型红外LED配套使用）。器件为NPN型光电晶体管，适用于中低功率光电检测与开关应用，工作温度范围为-35℃至+85℃，便于在多种环境下使用。

二、主要电气参数

• 集射极击穿电压 Vceo：30V（器件在无光/逆偏条件下允许的最高电压）
• 集电极电流 Ic：最大 3mA（光照条件下允许的最大集电流）
• 耗散功率 Pd：10mW（器件最大允许功耗，请注意VCE·Ic须低于此值）
• 暗电流：100nA（无光时的典型漏电流）
• 集射极饱和电压 VCE(sat)：0.4V @ Ic=2mA（在此光照电流下进入饱和时的电压）
• 晶体管类型：NPN，插件，D=3mm

注：器件耗散功率较低，使用时需同时满足 VCE·Ic < Pd 与 Ic ≤ 3mA 两项限制，以避免过热或损坏。

三、典型应用场景

• 反射式或透射式光电开关（与940nm红外发射器配合）
• 物体检测、计数与位置检测（短距）
• 线阵、编码盘或光学转速检测（变速传感）
• 玩具、家电与低功耗移动设备的接近/遮挡检测
• 简单的光耦或光电隔离（低速、低电流场合）

四、使用与电路建议

• 常见接法：集电极上拉（到VCC）并取集电极输出（共发射极配置）。若VCC=5V，为保证不超过Pd，推荐上拉电阻按预期最大Ic计算：R = (VCC - VCE(sat)) / Ic_target。例如期望Ic≈2mA时，R ≈ (5V-0.4V)/2mA ≈ 2.3kΩ。
• 功耗注意：按给定Pd=10mW计算，在VCE约5V时允许Ic最大约2mA（10mW/5V），如需更大光电流，应降低工作电压或加大热散。
• 抗干扰：在有较强环境光或阳光照射时，建议采用调制发射与带通接收或光学遮蔽、滤光片以提高抗干扰能力。
• 环境与温度：工作温度范围为-35℃到+85℃，超出请避免长期使用。

五、安装与可靠性提示

• 插件焊接时避免长时间高温烙铁作用，推荐快速焊接（≤3s）并在接脚附近加热散热片以保护封装。
• 存储与搬运要防潮、防静电，避免强光直射和机械冲击。
• 使用前检查光路对准，保证发射器（940nm）与器件视场匹配以获得稳定响应。

总结：MHL324PT03BRT 是一款适合低功耗短距光电检测的3mm插件NPN光电晶体管，特点是对940nm红外光敏感、暗电流低、封装通用。设计电路时应重点考虑最大耗散功率和集电极电流限制，以确保长期可靠运行。