型号:

SN74LVC1G08DRLR

品牌:TI(德州仪器)
封装:SOT-553-5
批次:25+
包装:编带
重量:0.038g
其他:
SN74LVC1G08DRLR 产品实物图片
SN74LVC1G08DRLR 一小时发货
描述:与门-IC-1-通道-SOT-5
库存数量
库存:
3113
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.929
4000+
0.88
产品参数
属性参数值
逻辑类型与门
通道数1
工作电压1.65V~5.5V
静态电流(Iq)10uA
灌电流(IOL)24mA
拉电流(IOH)24mA
输出高电平(VOH)1.9V;2.4V;1.2V;3.8V
输出低电平(VOL)550mV;300mV;400mV;450mV
系列74LVC系列
传播延迟(tpd)7.2ns@1.8V,15pF
工作温度-40℃~+125℃
输入通道数2

SN74LVC1G08DRLR 产品概述

一、概述

SN74LVC1G08DRLR 是德州仪器(TI)推出的一款单通道、双输入与门(AND),属于 74LVC 系列低压高速逻辑器件。器件采用小体积 SOT-553-5 封装(同类微型封装),适合空间受限的便携与消费类电子产品。工作电压范围宽(1.65 V ~ 5.5 V),静态电流低(Iq ≈ 10 µA),提供良好的功耗与驱动能力平衡,是需要低功耗与中等驱动能力的系统中常用的通用逻辑元件。

二、主要特性

  • 逻辑类型:单通道双输入与门(1 × 2 输入)
  • 工作电压:1.65 V ~ 5.5 V,适配 1.8 V、2.5 V、3.3 V 与 5 V 系统
  • 静态供电电流(Iq):典型 10 µA(无输入开关活动时)
  • 输出驱动能力:IOH / IOL = ±24 mA(典型/最大标称),满足较大负载驱动需求
  • 传播延迟(tpd):7.2 ns @ 1.8 V,CL = 15 pF(典型)
  • 工作温度范围:-40 ℃ ~ +125 ℃
  • 封装:SOT-553-5(微型 5 引脚封装),产品型号后缀 DRL 表示带卷盘包装

三、电气性能要点

  • 输出高电平(VOH)和输出低电平(VOL)随工作电压与负载条件变化。在不同条件下的典型值示例包括:VOH 约为 1.2 V、1.9 V、2.4 V、3.8 V(随 VCC 与负载变化);VOL 典型示例约为 300 mV、400 mV、450 mV、550 mV。实际设计中应参考器件在目标 VCC 和 IO 下的详细参数曲线以确保信号裕量。
  • 输入阈值与兼容性:LVC 系列输入兼容较宽的逻辑电平,适合直接与 1.8 V、3.3 V 等多种逻辑电平接口连接(但在混合电压系统中仍需关注输入保护与电平容限)。
  • ESD 与可靠性:属于工业级工作温度(-40 ℃ 至 +125 ℃),适合多种工业与消费应用。

四、封装与引脚

  • 封装形式:SOT-553-5(极小体积 5 引脚),适合高密度 PCB 布局和空间受限设计。
  • 引脚说明(概念):两个输入引脚(A、B),一个输出引脚(Y),电源引脚(VCC)与地(GND)。设计时注意走线、去耦电容位置及焊盘尺寸以保证信号完整性与可焊性。

五、时序与性能建议

  • 传播延迟:在 1.8 V、负载 15 pF 时 tpd ≈ 7.2 ns;在更高电压或更大负载时延迟会有所增加。用于高频切换时应评估时序裕量。
  • 驱动与扇出:器件支持较强驱动(IOH/IOL 达 24 mA),可直接驱动若干下游逻辑门或小功率负载;如驱动较大电容性负载或多个器件并联,应评估 VOH/VOL 在负载下的降落并视需要增加缓冲级。
  • 电源去耦:建议在 VCC 和 GND 之间靠近封装放置 0.1 µF 陶瓷去耦电容,以抑制瞬态电流和改善切换噪声。
  • 布局注意:对于微型封装,焊盘与热焊盘设计要符合封装推荐图,避免过多的引线电感,保证地线回流路径短且连续。

六、典型应用场景

  • 低功耗便携设备中的门控信号与控制逻辑
  • 多电平系统的逻辑接口(需注意电平兼容)
  • 信号整形与逻辑选择电路
  • 工业控制、消费电子、嵌入式系统中要求小封装与低静态功耗的场合

七、选型与使用建议

  • 若设计要求极低静态电流且工作在 1.65 V~5.5 V 范围内,SN74LVC1G08DRLR 是简洁且可靠的选择;如需更高驱动或更低延迟,可比较 LVT、ALVC 或其他系列产品的参数。
  • 在混合电压系统中使用时,务必验证输入端与输出端在目标电压下的 VOH/VOL 与阈值,必要时采用电平移位器或上拉/下拉网络。
  • 参考 TI 官方数据手册获取完整电气特性曲线、绝对最大额定值及封装尺寸信息,按推荐工艺进行 PCB 设计与焊接工艺验证。

该器件以小尺寸、低功耗与良好驱动能力著称,适合需要节省 PCB 面积并在不同供电电压下保持稳定逻辑功能的设计。若需更详细的电气表格或 PCB 封装图,可进一步查询 TI 官方数据手册或提供具体应用场景以便给出更精确的设计建议。