CJU80SN10 产品概述

一、产品简介

CJU80SN10 是江苏长电/长晶（CJ）出品的一款高电流、100V 档 N 沟增强型功率 MOSFET，封装为 TO-252-2L（DPAK），适用于对导通损耗与开关性能有较高要求的中高功率应用。器件工作温度范围宽（-55℃ 至 +150℃），单片标称连续漏极电流可达 80A。

二、主要规格参数

• 漏源电压 Vdss：100V
• 连续漏极电流 Id：80A
• 导通电阻 RDS(on)：10.5mΩ @ Vgs=4.5V；6.2mΩ @ Vgs=10V
• 阈值电压 Vgs(th)：2.5V @ 250µA
• 总栅极电荷 Qg：100nC @ 10V
• 输入电容 Ciss：3.15nF @ 50V；反向传输电容 Crss：8pF @ 50V
• 功率耗散 Pd：125W（需结合散热条件和 PCB 热阻计算）
• 类型：N 沟道 MOSFET；数量：1 只

三、特性与优势

• 低导通阻抗：在常见驱动电压下（4.5V/10V）均能提供较低的 RDS(on)，有利于降低导通损耗和发热。
• 高电流能力：80A 的连续电流能力适合大电流开关和整流场景。
• 宽温度适应性：-55℃~+150℃ 的工作范围适用于工业级或要求宽温工作的系统。
• 中等栅极电荷：Qg≈100nC，兼顾开关速度与驱动功耗，适配中高速驱动器。

四、典型应用场景

• 开关电源（同步整流、主开关）
• DC-DC 升降压转换器与服务器电源模块
• 电机控制与驱动（低压大电流段）
• 汽车电子与工业电源（需按系统认证要求评估）
• 电池管理与逆变器前端开关

五、封装与散热建议

TO-252-2L（DPAK）为表面贴装封装，需通过大面积 PCB 铜箔和散热过孔优化热阻。器件 Pd 标称值仅在特定环境（如 PCB 良好散热）下成立，实际使用中应结合板上铜量和环境温度做降额设计，推荐在高电流条件下并用散热片或多层铜层布线。

六、设计注意事项

• 由于 Qg 较大，栅极驱动器需能提供足够电流以获得期望开关速度，同时合理选择栅阻以控制振铃与 EMI。
• 布线时尽量缩短高电流回路，增加地平面，减小寄生电感与电阻。
• 在开关瞬态中注意 Crss 导致的米勒效应，必要时采用栅源箝位或缓冲驱动。
• 对于汽车或关键应用，建议基于系统级测试验证可靠性并考虑额定和热降额。

总体而言，CJU80SN10 在 100V/80A 级别上提供了低 RDS(on) 与良好热性能的平衡，适合需要高效率与大电流能力的功率应用。