CJU30P10A 产品概述

一 特性概述

CJU30P10A 是江苏长晶（CJ）推出的一款高压 P 沟道功率 MOSFET，封装为 TO-252-2L（常见 DPAK 封装）。器件适用于需要高压耐受与大电流开关的场合，工作温度范围宽（-55℃ 至 +150℃），兼顾工业级与汽车级环境的可靠性要求。典型导通电阻为 52 mΩ（在 VGS=4.5V 时测得），能够在中等功率水平下保持较低的导通损耗。

二 主要电气参数

• 漏源耐压 Vdss：100 V，适用于高压轨或耐压要求较高的电源管理场景。
• 导通电阻 RDS(on)：52 mΩ（@ VGS=4.5V, 测试条件下），适合 10~15A 的稳态导通应用（规格给出 15A 测试点）。
• 连续漏极电流 Id：30 A（器件极限值，需考虑封装散热和环境温度）。
• 阈值电压 Vgs(th)：约 1.5 V（此处为阈值量级，实际使用时以 |Vgs| 驱动裕度评估导通程度）。
• 耗散功率 Pd：89 W（额定值，受封装及 PCB 散热限制，实际应用中应按结温限制设计）。
• 输入与反向电容：Ciss ≈ 3.765 nF（@20V），Crss ≈ 136 pF（@20V），提示开关过程中的驱动能量与 Miller 效应需关注。

三 典型应用场景

• 高侧或低侧开关（取决于电路拓扑，P 沟道适合高侧简化驱动）。
• 逆接保护、负载断开与功率管理开关。
• 工业电源、通信设备、以及对耐压与温度要求较高的嵌入式系统。

四 封装与热管理建议

TO-252-2L（DPAK）封装便于表面贴装与大规模生产，但散热能力受 PCB 铜箔和焊盘面积限制。建议：

• 在 PCB 底层和顶层提供较大散热铜箔（多层过孔导热至内层或底层）。
• 在器件下方和焊盘周围增加焊盘面积并使用热过孔。
• 考虑外加散热片或靠近散热体安装以降低结温，保证在高电流下长期可靠工作。

五 使用建议与注意事项

• 驱动：P 沟道 MOSFET 的门极电压相对于源极为负值时导通（常以 |VGS| 表示）。本器件 RDS(on) 标称在 VGS=4.5V 条件下，实际应用中应保证足够的栅压幅度以达到预期的导通损耗。
• 开关损耗：较大的 Ciss 意味着切换时需较多的栅极能量，选择合适的驱动能力与门极电阻以控制开关速度和振铃。
• 热设计：虽然 Pd 标称较高，但实际连续功耗受限于 PCB 散热，设计时以结温 Tmax 为准，并留有安全裕量。
• 极性与布局：注意 P 沟道器件在高侧布置时的源极电位，确保驱动电路能在目标电位上拉低栅极实现充分导通。

六 小结

CJU30P10A 在 100V 耐压与中等导通电阻之间取得平衡，适合需要高压容忍且追求简单高侧开关或逆接保护的应用场合。合理的驱动设计与良好的 PCB 散热布局是发挥该器件性能并确保长期可靠性的关键。若有特定工作点或电路拓扑，可进一步提供参数以便给出更详细的驱动与热设计建议。