T-1N4148WA 产品概述

一、产品简介

T-1N4148WA 为晶导微电子推出的小型表面贴装快速二极管，封装为 SOD-123W。器件为独立式二极管，针对小信号开关、快速整流与浪涌抑制等应用进行了参数优化，兼顾高速恢复与较好的反向耐压能力，适合对体积与响应速度有要求的电子系统。

二、主要特性

• 二极管配置：独立式
• 品牌：晶导微电子
• 封装：SOD-123W（小外形、贴片安装）
• 直流反向耐压 Vr = 100 V
• 平均整流电流 Io = 150 mA
• 功率耗散 Pd = 400 mW
• 正向压降 Vf = 1.25 V @ 150 mA
• 反向电流 Ir = 50 μA @ 75 V
• 反向恢复时间 Trr = 4 ns
• 工作结温范围 Tj = -55 ℃ ~ +150 ℃

三、电气特性说明

正向压降 1.25V（在 150mA 条件）表明在中小电流整流时器件具有合理的导通损耗；反向恢复时间 4ns 使其能够满足大多数高速开关与脉冲场合的要求。反向漏流在高压下（75V）约 50μA，表明在高压阻断时损耗较小，但随温度升高会增加，设计时需预留裕量。

四、主要应用场景

• 小信号高速开关与逻辑电路保护
• 小电流整流与二次侧供电滤波
• 针对瞬态浪涌的吸收与钳位电路
• 消费电子、通信设备、仪器仪表中对速度与体积有要求的电路

五、封装与热管理建议

SOD-123W 封装体积小，便于高密度贴装。由于 Pd = 400 mW，器件对散热较敏感，建议：

• 布局时采用短且低阻抗的走线，靠近地或散热铜箔以改善散热；
• 勿在高环境温度下长时间满载工作，应进行功率和结温的热仿真与降额设计；
• 对于可能出现的浪涌电流，应评估峰值与平均功率，避免超过器件极限。

六、使用注意事项

• 在高反向电压边界工作时，应考虑反向漏流随温度上升的影响并留有裕量；
• 对于需要严格低漏流或更高电流能力的场合，可选择更大功率或低漏型器件替代；
• 建议按制造商推荐的焊接规范进行回流焊，避免超过器件允许的热循环应力；
• 对于关键可靠性应用，参考完整数据手册进行额定值校对与测试验证。

T-1N4148WA 在兼顾高速响应与较高反向耐压的前提下，提供了体积小、适合表贴装配的解决方案。设计时应注意热管理与电压/电流的降额，以确保长期可靠工作。若需更详细的电气特性曲线与封装尺寸，请参见晶导微电子的完整数据手册。