ES5JB — 快恢复/高效率二极管 产品概述

一、产品简介

ES5JB 是晶导微电子推出的一款独立式快恢复（Fast Recovery）高效率整流二极管，封装为 SMB（DO-214AA）。器件针对开关电源和逆变器等高频切换场合优化，兼顾较低的正向压降与快速的反向恢复性能，适用于中等功率整流与浪涌抑制应用。

二、主要特点

• 正向压降低：Vf = 1.7V @ If = 5A，降低导通损耗，有利于提升效率与热管理。
• 工作温度宽：结温范围 Tj = -55 ℃ ~ +150 ℃，适应苛刻环境。
• 高耐压：直流反向耐压 Vr = 600V，适合中高电压整流与开关电源前端使用。
• 低反向漏电：Ir = 5 μA @ 600V，降低待机与泄漏损耗。
• 快恢复特性：反向恢复时间 Trr = 35 ns，适合高频开关场合，减少开关损耗与电磁干扰（EMI）。
• 大浪涌承受能力：非重复峰值浪涌电流 Ifsm = 100A（单次），应对启动或短时过载浪涌。
• 持续整流电流：Iz(平均) = 5A，满足多数中等功率整流需求。
• 封装：SMB，便于自动贴装与可靠焊接，适合PCB标准化布局。

三、电气参数（关键项）

• 类型：独立式快恢复二极管
• 正向压降：Vf = 1.7V @ If = 5A（典型/额定测试条件）
• 反向击穿电压：Vr = 600V
• 反向电流：Ir = 5 μA @ 600V
• 反向恢复时间：Trr = 35 ns
• 非重复峰值浪涌电流：Ifsm = 100A（单次脉冲）
• 平均整流电流：Io = 5A 连续

（详细的极限值、温度系数、典型曲线与测试条件请参阅完整数据手册）

四、封装与热特性

• 封装形式：SMB（DO-214AA），适配常见SMB焊盘与自动化贴片线。
• 散热建议：尽管正向压降较低，长期5A负载下仍需良好PCB散热设计（扩大铜箔、使用过孔或散热片）以控制结温。
• 环境适应：宽温范围使其可用于工业、电力电子与车用非关键位置，但高温长期工作时请遵循结温限制与降额设计原则。

五、典型应用

• 开关电源（SMPS）整流二极管或缓冲二极管
• 功率因数校正（PFC）电路（中高压侧）
• 电机驱动与逆变器的自由wheeling/回流路径
• 充电器、电源适配器及工业电源整流
• 浪涌抑制与反向电压保护电路

六、设计注意事项与建议

• 在高频开关电源中，配合适当的驱动与滤波网络，可利用其快恢复特性降低开关损耗与EMI。
• 对于连续5A工作，建议在PCB上提供充分铜面与热过孔，并评估结温在最大Tj范围内的余量。
• 如果电路中存在重复性大幅浪涌，应检查Ifsm与脉冲宽度条件，必要时选用更高浪涌能力的器件或并联设计并注意电流均流问题。
• 在高压场合，关注反向漏电随温度上升的变化，适当留有设计裕量以保障稳定性。

七、质量与采购信息

• 品牌：晶导微电子（Jingdao Microelectronics）
• 型号：ES5JB
• 封装：SMB（DO-214AA）
• 采购与生产：建议从正规渠道获取原厂件或授权分销商供货，避免来源不明器件影响可靠性。
• 备注：以上概述为关键参数与应用建议，设计与量产前请参考晶导微电子的完整数据手册与可靠性报告以获取完整电气特性曲线、热阻参数和封装尺寸资料。