型号:

SD15C

品牌:UMW(友台半导体)
封装:SOD-323
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
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SD15C 一小时发货
描述:静电和浪涌保护(TVS/ESD) SD15C
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梯度内地(含税)
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0.075
产品参数
属性参数值
极性双向
反向截止电压(Vrwm)15V
钳位电压38V
峰值脉冲功率(Ppp)350W@8/20us
击穿电压16.7V
反向电流(Ir)1uA
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容68pF

SD15C 静电与浪涌保护器件(TVS/ESD)— UMW (友台半导体)

一、产品简介

SD15C 是 UMW(友台半导体)推出的一款双向瞬态抑制二极管(TVS/ESD),用于对抗静电放电(ESD)与脉冲浪涌(Surge/EFT)事件对敏感电子线路的损害。器件采用 SOD-323 小型表贴封装,体积小、易于自动贴装,适合空间受限的便携与嵌入式设备防护设计。

二、关键电气参数

  • 极性:双向
  • 反向截止电压 Vrwm:15 V
  • 击穿电压(典型):16.7 V
  • 钳位电压(典型):38 V
  • 峰值脉冲功率 Ppp:350 W @ 8/20 μs
  • 反向电流 Ir:1 μA(常态下)
  • 结电容 Cj:68 pF
  • 防护等级:符合 IEC 61000-4-4(EFT)与 IEC 61000-4-2(ESD)
  • 类型:ESD/TVS(瞬态抑制)

三、主要特性与优势

  • 双向结构:能同时抑制正负极性的瞬态脉冲,适用于交流或双向数据线保护。
  • 高能量吸收能力:在 8/20 μs 波形下可承受高达 350 W 的峰值脉冲功率,适合常见的浪涌与瞬态事件。
  • 低漏电:反向电流仅约 1 μA,适合低功耗电路与待机态应用。
  • 快速响应:针对 ESD(IEC 61000-4-2)与 EFT(IEC 61000-4-4)具有良好抑制性能。
  • 小电容(68 pF):对多数控制和信号线影响有限,但在超高速差分接口上仍需评估信号完整性影响。
  • 小型封装(SOD-323):利于紧凑 PCB 布局与成本优化。

四、典型应用场景

  • USB、串口、GPIO 等 I/O 接口的防护(尤其工作电压 ≤ 15 V 的场合)
  • 工业控制与人机界面(HMI)端口保护
  • 消费类电子产品的外部连接器(充电口、数据口)防护
  • 通信设备、监控与安防设备的接口保护
  • 需要符合 IEC ESD/EFT 测试等级的系统边界防护

五、封装与 PCB 布局建议

  • 器件靠近受保护端口或连接器放置,尽可能缩短元件到受扰点的导线长度以降低回路感抗。
  • 将 TVS 的接地端(或两端公共点)直接接入低阻抗地平面,使用1个或多个靠近器件的扎实过孔(via)实现可靠接地。
  • 避免将 TVS 与高频差分线并排长距离走线,以减少对信号完整性的干扰。若用于高速差分信号,应评估 68 pF 电容对速率的影响。
  • 如需增强抗浪涌能力,可在输入端配合串联电阻、共模电感或滤波网络使用,以分担能量并改善钳位效果。
  • 焊接工艺应采用推荐的回流焊曲线,遵循封装制造商的工艺规范以保证可靠性。

六、选型与设计注意事项

  • 工作电压匹配:选择 Vrwm(15 V)应高于系统正常工作电压,避免器件在正常工作条件下多次进入击穿区。
  • 钳位电压评估:钳位电压(38 V)应低于被保护元件的耐压极限,否则需增加额外限制措施。
  • 电容与信号速率:68 pF 对低速与中速信号影响小,但对千兆级或更高速接口会引入有意义的插入损耗,需要评估或选择低容型 TVS。
  • 热与能量预算:评估系统可能遭受的冲击能量及重复冲击条件,必要时并联多个保护元件或采用更高能量器件。

七、可靠性与使用注意

  • 器件符合 IEC 61000-4-2/4 测试要求,但具体系统级合规还需通过整机测试验证。
  • 在装配与调试期间,请采取静电防护(ESD)措施避免器件在未焊接时受损。
  • 建议参考 UMW 官方数据手册获取完整的温度特性、能量曲线与回流焊工艺建议。

八、结论与采购信息

SD15C(UMW/友台)是一款面向接口与板级保护的双向 TVS 器件,凭借 350 W 的瞬态吸收能力、15 V 的额定工作电压与符合 IEC ESD/EFT 标准的性能,适合多数工业与消费电子的静电与浪涌防护需求。封装为 SOD-323,适用于空间受限设计。欲获得完整电气曲线、引脚信息与封装图,请参阅 UMW 的产品资料或联系供应商获取数据手册。