LGS5523 产品概述

一、产品简介

LGS5523 是棱晶半导体（Legend-Si）面向三节锂离子/聚合物电池充电管理的高集成充电芯片。芯片支持最高2A充电电流、最终充电电压12.6V（3S），并具备低静态电流与0V唤醒充电及电池温度检测等实用功能，适用于移动电源、便携式设备及车载/工业低功耗充电模块。

二、核心参数

• 芯片类型：充电芯片（3 节锂电池）
• 工作电压：3V ~ 9.3V（芯片工作/参考电压范围，设计时请以正式资料为准）
• 最大充电电流：2A
• 充电饱和电压：12.6V（3S，4.2V/节）
• 支持电池节数：3 节
• 工作温度：-40℃ ~ +125℃
• 电池温度检测：支持（外接NTC或指定热敏接口）
• 0V电池充电：支持（低电压唤醒/涓流预充）
• 静态电流 (Iq)：26μA（适合待机和低功耗场景）
• 封装：ESSOP10
• 品牌：Legend-Si（棱晶半导体）

三、关键特性与优势

• 低静态功耗：26μA 静态电流，适合需长时间待机的设备。
• 高集成度：内置充电管理与温度检测接口，减少外部元件数量。
• 0V 唤醒：支持深度放电电池的预充/唤醒，提高系统可靠性。
• 宽温度工作：-40℃ ~ +125℃，适应工业级与车规级环境（请参考数据手册的热限值与降额曲线）。
• 合理的功率能力：最大2A 充电电流，可满足中高容量电池的快速充电需求。

四、设计与使用建议

• 电源要求：由于满电压为12.6V，输入电源（USB适配器或系统供电）需能覆盖电池终止电压及开关元件压降；若芯片工作电压与输入定义不一致，请以正式数据手册中的 VIN/VCC 定义为准。
• 设置充电电流：通过外置电流检测电阻或芯片电流设定脚配置充电电流，设计时注意功耗与热耗散。
• 温度检测：建议将NTC热敏电阻贴近电池包或电芯壳体，确保温度保护可靠。
• 0V电池保护：对长期深放电的电芯，采用涓流预充策略，避免直接大电流冲击。
• PCB与散热：ESSOP10 封装应配合大地铜垫与多层过孔以增强散热；2A 充电场景下需关注MOSFET/电阻的热耗散。
• EMI与滤波：在输入端增加合适的滤波电容与布局，减少开关噪声对系统的影响。

五、典型应用场景

• 移动电源与便携充电器（3S 电芯设计）
• 手持设备与工业便携终端
• 智能家居与车载辅助电源管理
• 需要低待机电流与电池温度监测的充电系统

六、封装与可靠性注意

ESSOP10 小型封装利于高密度 PCB 布局，但在高充电功率下需注意 PCB 散热设计与焊盘尺寸。工作温度覆盖宽广，应遵循厂商给出的温度降额与封装热阻参数。

七、选型与资料获取

LGS5523 提供了面向3S 锂电的全面充电解决方案。选型时请结合实际系统输入电压、最大充电电流、热环境与认证需求，必要时索取样片与评估板并参考完整版数据手册与应用笔记，完成电路验证与可靠性测试。

总结：LGS5523 以其低静态电流、0V 唤醒与温度检测支持，适合对可靠性和低功耗有较高要求的三节锂电充电应用。具体参数与接线、寄存器或设定细节请参照官方数据手册与参考设计。