型号:

VBA3638

品牌:VBsemi(微碧半导体)
封装:SO-8
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
VBA3638 产品实物图片
VBA3638 一小时发货
描述:场效应晶体管(FET) 2个N沟道 耐压:60V 电流:7A
库存数量
库存:
1451
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.55
4000+
1.47
产品参数
属性参数值
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))28mΩ@10V;30mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)4W
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
栅极电荷量(Qg)11.7nC@10V
输入电容(Ciss)600pF
反向传输电容(Crss)50pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)110pF

VBA3638 产品概述

一、产品简介

VBA3638 是 VBsemi(微碧半导体) 推出的双通道 N 沟道场效应管,封装为 SO-8。器件耐压 60V,单器件连续漏极电流 7A,适合中等功率开关与驱动场合。工作温度范围宽,额定为 -55℃ ~ +175℃,可靠性高,适用于汽车与工业级环境。

二、主要特性

  • 双路 N 沟道(2 个 N 沟道)设计,便于两路开关或半桥应用布局。
  • 低导通电阻:28mΩ @ VGS=10V,30mΩ @ VGS=4.5V,开关损耗与导通损耗兼顾。
  • 门极电荷 Qg=11.7nC @ 10V,门极驱动需求适中,便于采用常见驱动器直接驱动。
  • 输出电容 Coss=110pF,输入电容 Ciss=600pF,反向传输电容 Crss=50pF,开关特性适配高速切换场景。
  • 门阈电压 Vgs(th)=2V @ 250μA,便于在低压逻辑环境下评估导通边界。

三、电气参数摘要

  • 漏源电压 Vdss:60V
  • 连续漏极电流 Id:7A
  • 导通电阻 RDS(on):28mΩ @ 10V;30mΩ @ 4.5V
  • 耗散功率 Pd:4W
  • 电容:Ciss=600pF,Coss=110pF,Crss=50pF
  • 门极电荷 Qg:11.7nC @ 10V
  • 门阈电压 Vgs(th):2V @ 250μA

四、热与机械特性

  • 工作温度:-55℃ ~ +175℃,适用于高温工作环境。
  • 封装:SO-8,适合自动贴片生产。为保证热性能,应在 PCB 设计时采用宽铜箔、热过孔或散热铜箔扩展,以降低结-壳温差并提升功率耗散能力(Pd=4W 额定值需结合 PCB 散热评估)。

五、典型应用

  • 同步整流器与 DC-DC 转换器(中功率)
  • 电机驱动与 H 桥模块(作为半桥低侧或高侧器件)
  • 开关电源、负载开关与电池保护电路
  • 汽车与工业控制电子(高温耐受、双通道节省 PCB 面积)

六、PCB 布局与使用建议

  • 电流回路使用短而粗的走线,减小寄生电感与温升。
  • 在开关节点并联低 ESR 去耦电容以抑制尖峰,门极加适当门阻以控制 di/dt 并减少振铃。
  • 若并联使用多个通道以增强电流能力,应保证门极同步驱动并匹配热分布。
  • 避免长期超过 Pd 额定功耗,必要时采用散热片或增加过孔散热。

七、封装与订购信息

  • 品牌:VBsemi(微碧半导体)
  • 型号:VBA3638
  • 封装:SO-8
  • 建议在采购时确认批次与温度等级,及是否通过相关认证(如汽车级需求请与厂方确认 AEC-Q 等级)。

VBA3638 在中等电压(60V)与中等电流(7A)应用中提供了低 RDS(on) 与适度门极电荷的平衡,适合需要双通道且空间受限的电子系统。