超快恢复二极管 DHE1M U1M — 产品概述

一、产品简介

DHE1M（又标注为 U1M）是 MDD 推出的超快恢复二极管，面向高压、高速开关应用设计。器件采用 SOD123FL 低轮廓封装，结合较快的反向恢复特性，适合开关电源、逆变器和高压整流等场合作为整流或续流元件使用。

二、主要电气参数

• 正向压降（Vf）：典型 1.7 V @ 2 A（实际使用请参考器件曲线和工作电流区间）
• 直流反向耐压（Vr）：1000 V（1 kV）
• 平均整流电流：1 A（I(AV)）
• 反向电流（Ir）：5 μA @ 1 kV
• 反向恢复时间（Trr）：75 ns（超快恢复等级）
• 工作结温范围（Tj）：-55 ℃ ～ +125 ℃

以上参数反映了器件在高压环境下的低泄漏特性与快速开关响应，适用于高压、高频率的整流与续流场景。

三、封装与热管理

SOD123FL 封装体积小、引脚短，适用于自动贴装与高密度电路板。由于封装限制，器件散热能力有限，使用时应注意：

• 平均整流电流按 1 A 设计并做适当余量；若电路存在脉冲或浪涌电流，需核对数据手册中脉冲峰值能力并做好热仿真。
• 在 PCB 设计上增大焊盘面积并连接铜厚的散热层，有助于降低结温并提高可靠性。
• 在高结温或高频切换时，对正向压降和反向恢复特性做温度依赖考量。

四、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）的次级整流或主回路续流二极管
• 高频逆变器与电机驱动中的整流与反向保护
• 功率因数校正（PFC）电路的高压整流单元（依据电流等级）
• 高压脉冲或电荷泵电路中的快速恢复整流

五、选型与使用建议

• 若工作电流长期接近或超过 1 A，应选择额定电流更高的器件或并联多只并合理考虑热平衡。
• 超快速恢复（Trr ≈ 75 ns）有助于降低开关损耗和峰值应力，但在某些场合可能引起高频尖峰，建议配合适当的缓冲网络（RC、阻尼）或开关栅极优化来抑制振铃。
• 反向泄漏仅 5 μA @1 kV，适合高压整流；但在高温条件下泄漏会升高，应在热设计中预留裕量。
• 如需更低正向压降或更快恢复，比较肖特基或更高速恢复器件的特性以确定最优方案。

六、储存与可靠性注意事项

• 器件工作结温上限为 +125 ℃，设计时应保证实际结温低于该值并满足寿命退化要求。
• 建议遵循常规无铅回流焊温度曲线与厂家推荐的焊接工艺，避免长时间高温烘烤以免影响封装和性能。
• 受潮防护：若采用湿敏等级（MSL）管理的包装，开封后依规定时间回流焊。

总结：DHE1M（U1M）以 1 kV 的高耐压、1 A 的整流能力与 75 ns 的超快恢复时间，适合高压高频的整流与续流应用。实际电路设计应综合考虑结温、脉冲电流能力与滤波/抑振措施，必要时参考完整数据手册以确认峰值与脉冲参数。