型号:

LM2904BAQDGKRQ1

品牌:TI(德州仪器)
封装:VSSOP-8
批次:22+
包装:编带
重量:-
其他:
-
LM2904BAQDGKRQ1 产品实物图片
LM2904BAQDGKRQ1 一小时发货
描述:IC: operational amplifier; 1.2MHz; Ch: 2; VSSOP8;
库存数量
库存:
1113
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.25
2500+
1.18
产品参数
属性参数值
放大器数双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)36V
增益带宽积(GBP)1.2MHz
输入失调电压(Vos)2mV
输入失调电压温漂(Vos TC)3.5uV/℃
压摆率(SR)500V/ms
输入偏置电流(Ib)10nA
输入失调电流(Ios)4nA
噪声密度(eN)40nV/√Hz@1kHz
共模抑制比(CMRR)100dB
输入失调电流温漂(Ios TC)10pA/℃
静态电流(Iq)300uA
输出电流20mA
工作温度-40℃~+125℃
单电源3V~36V
双电源(Vee~Vcc)-18V~18V

LM2904BAQDGKRQ1 产品概述

一、产品简介

LM2904BAQDGKRQ1 为德州仪器(TI)提供的一款双路运算放大器,封装为 VSSOP-8。该器件针对低功耗、宽电源范围及宽温度范围应用进行了优化,适合工业控制、传感器前端和低频模拟信号处理等场景。器件提供优良的共模抑制和低噪声特性,同时保持较小的偏置电流与低输入失调,便于在精密传感和差分测量中获得稳定性能。

二、主要参数

  • 放大器通道数:双路
  • 增益带宽积(GBP):1.2 MHz
  • 压摆率(SR):500 V/ms(即0.5 V/μs)
  • 共模抑制比(CMRR):100 dB
  • 输入电压噪声密度(eN):40 nV/√Hz @1 kHz
  • 最大供电电压(Vdd–Vss):36 V
  • 单电源供电范围:3 V ~ 36 V;双电源范围:±18 V(Vee~Vcc)
  • 输入失调电压(Vos):2 mV;温漂(Vos TC):3.5 μV/℃
  • 输入偏置电流(Ib):10 nA;输入失调电流(Ios):4 nA;温漂(Ios TC):10 pA/℃
  • 静态电流(Iq):300 μA(典型)
  • 输出电流:20 mA
  • 工作温度范围:-40 ℃ ~ +125 ℃
  • 封装:VSSOP-8(型号后缀 DGK)

三、典型应用场景

  • 传感器信号调理(温度、压力、流量等)
  • 工业控制与数据采集前端
  • 低频滤波与比较放大电路
  • 电池供电与便携式设备的差分放大与缓冲

四、设计与选型要点

  1. 带宽与增益:1.2 MHz 的 GBP 适合低至中等增益的放大应用,设计时应根据所需闭环增益计算可用带宽,避免在高增益下出现幅频衰减。
  2. 噪声与源阻:40 nV/√Hz 的噪声密度在 1 kHz 附近表现良好;当输入源阻较高时,输入偏置电流(10 nA)与热噪声会影响总噪声,需权衡源阻与滤波网络。
  3. 偏置与失调:Vos 2 mV 与较低的温漂(3.5 μV/℃)利于保持长期精度,但对高精度测量仍建议采用偏置校准或外部放大器级联。
  4. 驱动能力与输出负载:20 mA 的输出能力适合驱动中等阻抗负载;若驱动低阻负载或大摆幅输出,应考虑功耗与热设计。
  5. 电源与去耦:支持宽电源范围(3–36 V),在实际电路中建议在供电端加高频旁路电容(如0.1 μF)与大容量电容组合,减少供电噪声与瞬态影响。
  6. 温度与可靠性:-40 ℃ 至 +125 ℃ 的工作温度覆盖大多数工业应用,但高温工况下要注意漂移与功耗对长期可靠性的影响。

五、使用建议

  • 对于高精度测量,尽量降低源阻并在输入端使用滤波与屏蔽,减少环境干扰。
  • 设计闭环增益时留有裕量,避免接近器件带宽极限以免影响相位裕度和瞬态响应。
  • 若电路要求较快瞬态响应或大摆幅输出,请评估压摆率与输出电流是否满足要求,并考虑加缓冲或功率级。
  • 在布板时将模拟地与电源去耦靠近器件,缩短敏感引脚走线,改善共模抑制与噪声性能。

本概述基于器件关键规格给出设计与应用建议,实际系统设计请参考 TI 官方数据手册以获取完整电气特性、典型应用电路与封装引脚定义。