LM385BXZ-2.5/NOPB 产品概述

一、产品简介

LM385BXZ-2.5/NOPB（TI，TO-92）是一款固定输出的并联（shunt）电压基准，标称输出电压为2.5V。器件面向商业温度范围（0℃~+70℃），温度系数典型值约30ppm/℃，静态电流（Iq）低至20µA，可提供最大吸收电流约20mA。器件为无铅（NOPB）封装，适合通过孔安装与快速原型验证。

二、主要性能亮点

• 精度等级：B 级，初始精度典型 ±0.8%（出厂分级参考TI规格）；
• 低静态电流：20µA，适合低功耗或电池供电系统；
• 宽温区稳定性：温漂约30ppm/℃，相当于约75µV/℃（2.5V 基准）；
• 低噪声：10Hz–10kHz 带宽下约120µVrms，利于高精度数据采集；
• 输出能力：并联型基准，可在规定范围内吸收/维持最大约20mA；
• 封装优势：TO‑92 便于手工焊接、样机调试与散热。

三、典型应用场景

• ADC/DAC 参考源与比较器参考电压；
• 精密传感器供电与放大器偏置；
• 低功耗测量仪器、便携设备与电池供电系统；
• 基准源与低压稳压电路的参考点设定。

四、设计与使用要点

• 并联型（shunt）基准需外接限流电阻从电源提供偏置电流。计算示例：若 Vin=5V，负载需取出2mA，则限流电阻 R ≈ (Vin − Vref) / (Iload + Imin) = (5 − 2.5) / (2mA + 20µA) ≈ 1.24kΩ（可选 1.2kΩ）；
• 确保在任何工况下基准的阴极电流不低于最小调节电流（此器件为20µA），否则输出电压可能逸出规格；
• 避免长时间在接近最大吸收电流（20mA）下工作，以减少自热导致的漂移；基准实际功耗由 (Vin − Vref)×Ik 决定，器件本体也承受 Vref×Ik 的热负荷；
• 为降低噪声与瞬态响应，建议在基准两端并联一只小容量低ESR去耦电容（常见值如 0.01–0.1µF，根据系统需求调整）；
• 布局上注意把基准引脚与敏感放大器输入分开走线，减少噪声耦合。

五、总结

LM385BXZ-2.5/NOPB 是一款针对需要低噪声、低功耗且具有良好温度稳定性的 2.5V 并联电压基准。其 TO‑92 封装适合开发与中小批量应用，典型应用覆盖精密测量、传感与低功耗仪表。选型时应关注并联型基准的供电方式（需限流电阻）、最低工作电流与最大吸收电流对热稳定性的影响。若需更高电流能力或更低漂移，可在系统层面考虑功率管理或采用串联式参考/放大器方案。