CJBA7002K 产品概述

一、产品简介

CJBA7002K 是江苏长电/长晶（CJ）推出的一款小功率 N 沟道 MOSFET，单只器件，DFN-3L(1.0×0.6 mm) 超小封装。器件额定漏源电压为 60V，典型导通电阻 RDS(on)=1.8Ω（VGS=4.5V，ID=0.41A），连续漏极电流 410mA，耗散功率 Pd=100mW。工作温度范围宽（-55℃ ~ +150℃），适合空间受限的便携与功率管理应用。

二、主要电气参数（要点）

• VDSS：60V
• ID（连续）：410mA（器件极限）
• RDS(on)：1.8Ω @ VGS=4.5V, ID=0.41A
• VGS(th)：1.4V（典型）
• Qg：2.8nC @ 10V（门极总电荷）
• Ciss：≈80pF，Crss≈5.6pF @ 40V
• Pd：100mW（无额外散热条件下）
• 封装：DFN-3L (1×0.6 mm)，超小尺寸

三、性能分析与热限说明

此器件强调小体积与低栈容量、快速开关能力（Ciss 小、Qg 小），适合高频或脉冲开关场合。但 RDS(on) 较大（1.8Ω），在较高电流下导通损耗显著。以 Pd=100mW 和 RDS(on)=1.8Ω 估算安全连续电流约为： Imax ≈ sqrt(Pd / RDS) = sqrt(0.1 / 1.8) ≈ 0.236A（约236mA）； 因此长期工作电流应控制在此范围内，否则需通过 PCB 散热或间歇工作降低结温。VGS=4.5V 时给出的 RDS(on) 表明器件适用于 3.3V~5V 驱动，但为获得更低导通电阻应参考更高 VGS 下的曲线（以厂方数据为准）。

四、典型应用场景

• 便携设备的低电流负载开关、功率路径控制
• 电源管理与复位/使能开关（PMIC 周边）
• 低功率 DC-DC 转换器开关元件（小电流）
• 信号开关、隔离与保护电路
• 需要小封装和低门极电容的高密度电路板

五、封装与布局建议

DFN-3L(1×0.6) 封装尺寸极小，优势是占板面积小、寄生电感低。实际设计时建议：

• 参考厂方封装图与引脚定义，中心大焊盘或背面散热区通常需要适当填焊；
• 采用短、粗的走线连接电源与地，提高散热与电流承载能力；
• 在需要更高连续电流或更好散热时，在焊盘下方加铜箔和多排微盲孔/过孔以增强热通道；
• 门极驱动可考虑串联小电阻抑制振铃，必要时并联 TVS 做过压保护。

六、选型与使用注意

• 请以厂家完整数据手册为准，确认 VGS(max)、SOA、反向恢复等详细参数；
• 若应用电流接近或超过约 200~250mA，应考虑更低 RDS(on) 或更大封装器件；
• 注意焊接工艺和回流温度限制，超小封装对焊膏量和回流曲线敏感；
• 在有反向电流或续流场合，留意体二极管和反向恢复特性，必要时并联肖特基或选用专用 MOSFET。

七、结论

CJBA7002K 以超小 DFN 封装、低门极电荷和宽温度范围为特点，适合占板面积受限、开关速度要求高且电流不大的应用场景。设计时需重视其较高的 RDS(on) 与有限的耗散能力，合理评估实际工作电流与 PCB 散热，以确保长期可靠性。欲获更详细的封装图、引脚定义与完整电气特性，请参阅厂家数据手册。