DMN2992UFB4Q-7B 产品概述

DMN2992UFB4Q-7B 是 DIODES（美台）推出的一款 N 沟道增强型 MOSFET，面向低压、低功耗场景的开关与载流控制应用。器件采用 X2-DFN1006-3 小型封装，以适配空间受限的便携和板载电源设计，提供可靠的开关性能和宽工作温度范围。

一、主要参数一览

• 类型：N 沟道 MOSFET（增强型）
• 漏源电压 Vdss：20 V（适配 8V–24V 范围内应用）
• 连续漏极电流 Id：830 mA
• 导通电阻 RDS(on)：1.8 Ω @ Vgs = 1.8 V
• 耗散功率 Pd：1.02 W
• 阈值电压 Vgs(th)：1.0 V @ ID = 250 μA
• 栅极电荷 Qg：410 pC @ Vgs = 4.5 V
• 工作温度：-55 ℃ ~ +150 ℃
• 封装：X2-DFN1006-3（T&R 卷带供货）

二、关键特性评述

该器件定位于低压开关与通断控制：20V 的耐压足以覆盖常见的系统电压（如 12V/5V 侧的控制与保护）。1.8Ω 的 RDS(on) 在 Vgs=1.8V 时表明其适合在有限门极驱动电压下工作，阈值电压约为 1V，便于与低压逻辑电平配合。然而，Qg 达到 410 pC，相对较高，提示在高频开关场合会带来明显的驱动能量与开关损耗，应在驱动设计中予以关注。

三、适用场景与典型应用

• 低电流负载的通断开关（传感器电源、信号隔离）
• 电源管理与电路保护（短路限流、倒灌防护）
• 便携设备的功率路径控制与电池管理（非高频 DC-DC 主开关）
• 需要小体积封装且对导通阻抗要求中等的板载开关

四、封装与热管理建议

X2-DFN1006-3 封装适合高密度布局，但器件 Pd 仅 1.02W，散热依赖 PCB 铜箔和焊盘布局。建议在器件下方和外侧留足暴露热焊盘并增加铜箔过孔以利于散热；在连续大电流或高占空比工况下，应评估结温并通过增加散热面积或降低负载电流来控制温升。

五、选型与设计注意事项

• 若应用为高频开关或大电流传输，应重点评估 Qg 带来的驱动损失与 RDS(on) 引起的导通损耗，必要时考虑更低 RDS(on) 或更小 Qg 的替代器件。
• 门极驱动电压与源极参考需确保在器件额定范围内，以获得预期的导通电阻。
• 在热边界和短路保护设计中，结合 Pd 与实际 PCB 散热条件进行热仿真或测量。
• 卷带（T&R）封装便利于自动化贴片生产，适合批量制造。

六、总结

DMN2992UFB4Q-7B 是一款针对小型化、低压应用优化的 N 沟道 MOSFET，适合做开关控制和功率路径管理。其优点在于小封装、宽温度范围和适配低电压驱动；限制在于较高的栅极电荷和中等的导通阻抗，设计时需兼顾驱动能量和热管理。选择时应根据具体频率、平均与峰值电流以及散热条件进行权衡。