DMC2991UDR4-7 产品概述

一、产品简介

DMC2991UDR4-7 是 DIODES（美台）推出的一款小型双通道 MOSFET 器件，封装为 X2-DFN1010-6，集成了 N 沟道与 P 沟道晶体管，适合空间受限的移动与便携电子设计。器件额定漏源电压（Vdss）典型值为 20V，工作温度范围宽（-55℃ 至 +150℃），在开关和功率管理场合具有良好兼容性与可靠性。

二、主要电气参数

• 漏源电压（Vdss）：20V（器件属于 8V–24V 系列封装范畴）
• 连续漏极电流（Id）：N 沟道 500mA；P 沟道 360mA
• 导通电阻（RDS(on) @ Vgs=4.5V）：N 沟道 1.7Ω；P 沟道 0.5Ω
• 耗散功率（Pd）：700mW
• 阈值电压（Vgs(th)）：1.0V @ 250µA（典型）
• 总栅极电荷（Qg @ 4.5V）：N 沟道 280pC；P 沟道 300pC

三、寄生电容与开关特性

• 输入电容（Ciss）：N 14.6pF；P 17pF
• 反向传输电容（Crss/Crss）：N 3.2pF；P 2.7pF
• 输出电容（Coss）：N 4.7pF；P 4.1pF 这些小型电容值表明器件在低能量开关应用中开关损耗较低，适合低功率、高频率的控制场景。

四、封装与可靠性

• 封装：X2-DFN1010-6（超小型 DFN 封装，适合高密度布板）
• 适用温度：-55℃ ～ +150℃
• 包装：T&R（盘装/卷带） 该封装便于表面贴装工艺，热阻和散热能力适中，便于在受限空间内实现稳健的热管理。

五、典型应用场景与设计建议

适用场景包括便携设备电源切换、电池管理（高/低侧开关）、信号级电平转换、低功耗负载控制与保护电路等。设计时建议注意：

• 根据导通电阻与耗散功率选择工作电流；在靠近 Pd 上限时应加以散热或降载。
• 栅极驱动建议使用接近 4.5V 的驱动电平以获得标称 RDS(on) 与 Qg 性能；若需更快切换，可关注栅极电荷对驱动器能力的要求。
• 在高频开关场合，合理布局旁路电容与地回路以降低 Crss 带来的窜入与振荡风险。

六、小结

DMC2991UDR4-7 以其 N/P 双通道集成、小尺寸 DFN 封装及 20V 级别耐压，适合便携式与电源管理类应用。其较低的寄生电容与中等栅极电荷使其在低功率开关与负载控制中表现良好。选型时应结合实际电流、功耗及散热条件，合理配置驱动与保护电路以确保长期可靠工作。