DMTH45M5LPSW-13 产品概述

一、产品简介

DMTH45M5LPSW-13 是一款高性能 N 沟道功率 MOSFET，采用 PowerDI5060-8 封装，针对中功率开关应用优化。器件额定漏源电压约 40V，适合 12V/24V 系统以及通用电源管理场景，兼顾低导通损耗与快速开关特性。

二、主要电气参数

• 漏源电压 (Vdss)：40V（典型应用范围 31V~40V）
• 连续漏极电流 (Id)：86A（良好瞬态和持续导通能力）
• 导通电阻 (RDS(on))：5.5 mΩ @ Vgs = 10V（低导通损耗）
• 阈值电压 (Vgs(th))：2.3V @ 250µA（便于门极驱动判断）
• 栅极电荷量 (Qg)：13.9 nC @ 10V（门驱动能耗适中）
• 最大耗散功率 (Pd)：72W（结合封装及 PCB 散热可实现高功率处理）
• 工作温度范围：-55℃ ~ +175℃（宽温度特性，适合苛刻环境）

三、封装与热管理

PowerDI5060-8 封装提供较低的热阻与良好的电流分布能力，便于在 PCB 上采取对流/铜箔散热方案。为保证长时间稳定工作，建议：

• 在器件底部和附近使用大面积铜箔或多层散热过孔；
• 在高频开关应用中结合合适的热仿真与热保护设计；
• 合理选配门极电阻和驱动器以降低开关损耗和振铃。

四、应用场景

适用于需要高电流、低导通损耗和可靠开关性能的场景：

• 同步整流与降压（Buck）转换器；
• DC-DC 电源、服务器与通信设备电源管理；
• 电机驱动与功率开关模块（中低压域）；
• 汽车电子与工业控制（在满足系统级可靠性要求下）。

五、使用建议

• 推荐以 Vgs=10V 驱动以充分发挥最低 RDS(on)；门极电荷为 13.9nC，选择合适驱动器以满足上升/下降时间要求；
• 高频切换时注意布局：短回流路径、紧凑门极环路、合适的去耦电容；
• 在高温或高功率工况下建议通过热仿真调整 PCB 散热设计并设置必要的保护（如过温、过流保护）。

总结：DMTH45M5LPSW-13 在 40V 级别提供了低 RDS(on)、高电流承载与良好热性能的平衡，适合各类中高性能电源与开关应用。根据具体应用场景调整门极驱动和散热方案，可实现优良的效率与可靠性表现。