NFM41CC102R2A3L 产品概述

一、产品简介

NFM41CC102R2A3L 是村田（muRata）系列的平面式 Feed‑Through 电容器，标称电容值 0.001 µF（1 nF），额定电压 100 VDC。器件以 1806 封装（Flat 1806）提供，适用于在 PCB 走线或金属穿接点处实施高密度、低外形高度的 EMI 抑制与去耦处理。该器件将滤波电容与穿通结构集成，便于在有限空间实现对高频干扰的旁路和屏蔽连接。

二、主要电气与环境参数

• 电容值：0.001 µF（1 nF）
• 容差：-20% / +50%（选择与设计时请预留容差带）
• 额定电压：100 VDC
• 额定电流：300 mA（导体通过能力）
• 直流电阻（DCR）：300 mΩ（表示穿通导体的直流阻抗）
• 工作温度：-55 ℃ 至 +125 ℃
• 封装：Flat 1806（SMD 封装，适合表面贴装工艺）
• 品牌：muRata（村田）

三、典型应用场景

• 电源输入/输出滤波：用于 DC 供电线的穿板处，抑制来自外部或内部的高频干扰。
• EMI/EMC 解决方案：在金属机箱穿透点或屏蔽板上实现滤波与接地保持，改善系统辐射与传导发射性能。
• 高频旁路与去耦：在 DC/DC 转换器、线性稳压器输入端做噪声旁路，提升电源稳定性。
• 仪表与通信设备：对敏感模拟电路或射频前端做屏蔽滤波，减少共模/差模干扰耦合。

四、性能优势与设计要点

• 集成化：将滤波电容与穿通结构整合，节省 PCB 空间，简化结构设计，避免额外穿孔处理。
• 宽温度范围：-55 ℃ 到 +125 ℃，适应工业级环境下的温度变化。
• 适用高压场合：100 VDC 额定允许在相对较高的直流电压下安全工作，适合多数中低压系统。
• 设计注意：
  • 容差较宽（-20%/+50%），用于对容值敏感的滤波网络需预留裕量或选用更高容值。
  • DCR 300 mΩ 表示导体有一定压降；在高电流场合需评估功耗与温升，保持额定 300 mA 以下运行。
  • 器件主要用于高频滤波，如需低频耦合或储能应选用更大电容量器件。

五、选型与可靠性建议

• 依据滤波目标频率与所需阻抗选择电容值与级联结构；若系统需更大滤波深度，可采用并联多个器件或配合共模元件。
• 对于敏感模拟/射频电路，建议在实际布局中测量滤波效果并考虑 PCB 屏蔽与接地回路完整性。
• 采用表面贴装工艺时，参照村田的焊接与回流曲线推荐进行可靠性验证；避免机械应力集中在器件体上。
• 存储与贴装：遵循干燥包装与回流前防潮要求，防止焊接过程中吸湿导致裂纹或性能退化。

六、总结

NFM41CC102R2A3L 为一款专为穿通滤波、EMI 抑制与高密度 PCB 设计优化的 1 nF 平面型 Feed‑Through 电容，具备 100 VDC 额定与宽温工作特性。其集成化结构与 SMD 封装适合工业设备、电源模块与通信终端等场合使用。选型时需注意容差、直流电阻与额定电流限制，以确保在目标应用中获得理想的滤波效果与可靠性。如需完整电气特性曲线与焊接工艺建议，请联系村田或授权分销商获取官方数据手册。