YJQ15GP10A 产品概述

一、器件简介

YJQ15GP10A 是扬杰（YANGJIE）推出的一款 P 沟道功率场效应晶体管，额定漏源电压 (Vdss) 为 100V，针对高电压、低功耗的反向侧开关、同步整流和高端开关场合设计。封装为 DFN3333-8L，适合贴片安装、散热与尺寸平衡的应用场景。

二、主要电参数（关键信息）

• 类型：P 沟道 MOSFET
• Vdss：100V
• 连续漏极电流 Id：15A
• 导通电阻 RDS(on)：110mΩ @ Vgs = 10V
• 阈值电压 Vgs(th)：2.5V @ Id = 250µA
• 总栅极电荷 Qg：20.1nC @ Vgs = 10V
• 输出电容 Coss：119pF；输入电容 Ciss：1.051nF；反向传输电容 Crss：25pF
• 耗散功率 Pd：43W
• 数量：单颗（1个 P 沟道）

三、性能解析

• 导通损耗与开关损耗：110mΩ 的 RDS(on) 在低至中等电流情况下能提供较低导通损耗；Qg = 20.1nC 表明栅容较大，驱动时需考虑较高的驱动能量与驱动速度。
• 开关特性与寄生电容：Ciss = 1.051nF 与 Crss = 25pF、Coss = 119pF 综合决定了在高频切换时的能量损耗与电压应力分布，适合中低频率开关或要求稳态导通的应用。
• 温度与功耗能力：工作温度范围 -55℃ ~ +150℃，Pd = 43W 表示在良好散热条件下具有较强功率处理能力，适合在散热设计到位的系统中使用。

四、封装与热管理

DFN3333-8L 为小型扁平贴片封装，有利于 PCB 布局密集度与热路径设计。建议在 PCB 底层或散热垫上增加铜箔、热过孔与贴片焊盘，以降低结-环境热阻，保证持续大电流工作时的温升受控。

五、典型应用场景

• 高端开关（如电源管理中的高侧开关）
• 同步整流电路（P 沟道用于高侧快速切换）
• 反相保护与负载断开控制
• 工业控制与汽车电子（需注意高温工作与热管理）

六、选型与使用建议

• 驱动电压：RDS(on) 规格以 Vgs = 10V 标定，若采用低压驱动（例如 4.5V 或 5V），需评估实际 RDS(on) 上升对损耗的影响。
• 驱动能力：栅极电荷较大（20.1nC），驱动器应具备足够电流以满足所需开关速度并限制开关损耗。
• 布局注意：减小回流电感、优化热路径、并考虑 TVS 或 RC 抑制网络来控制开关尖峰与振铃。
• 工作环境：在高温或连续大电流工况下，应保证散热设计符合 Pd 限值，避免器件因过热进入热失控。

以上为 YJQ15GP10A 的产品概述与工程应用建议。在具体电路设计中，建议结合实际工作电压、频率与热条件做仿真与样机验证，以保证可靠性与效率。