型号:

WNM2016A

品牌:TECH PUBLIC(台舟电子)
封装:SOT-23
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
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WNM2016A 一小时发货
描述:场效应晶体管(FET) WNM2016A
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产品参数
属性参数值
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))35mΩ@4.5V,6A
耗散功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)7.7nC@4.5V
输入电容(Ciss)574pF@10V
反向传输电容(Crss)60pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)70pF

WNM2016A 产品概述

一、产品简介

WNM2016A 是 TECH PUBLIC(台舟电子)推出的一款小封装 N 沟道场效应晶体管(N‑MOSFET),封装为 SOT‑23,适用于 20V 以下的低压开关与电源管理场合。该器件在 VGS=4.5V 条件下具有较低的导通电阻,适合电池供电与便携设备中作为低侧开关、负载开关或同步整流周边器件使用。

主要基础参数(典型/额定值):

  • 漏源电压 Vdss:20V
  • 连续漏极电流 Id:6A
  • 导通电阻 RDS(on):35 mΩ @ VGS=4.5V, Id=6A
  • 功耗 Pd:1.25W
  • 阈值电压 VGS(th):1V
  • 总栅极电荷 Qg:7.7 nC @ VGS=4.5V
  • 输入电容 Ciss:574 pF @ 10V
  • 反向传输电容 Crss:60 pF
  • 输出电容 Coss:70 pF
  • 工作温度范围:-55 ℃ ~ +150 ℃
  • 封装:SOT‑23

二、主要特点

  • 低导通电阻:35 mΩ(4.5V 驱动),在低压大电流路径上能显著降低导通损耗与压降。
  • 小体积封装:SOT‑23,适合空间受限的便携与手持设备。
  • 中等栅极电荷:Qg=7.7 nC,有利于在常见 MCU/驱动器电平下实现较快开关,同时驱动功耗可控。
  • 宽温度范围:-55 ℃ 至 +150 ℃,适用于工业级温度环境。

三、电气与热参数解析

  • 导通损耗示例:在额定条件 Id=6A、RDS(on)=35 mΩ 时,电压降 VDS ≈ 6A × 0.035 Ω = 0.21V;导通功耗 P = I^2·R ≈ 6^2 × 0.035 = 1.26W。注意该导通功耗略高于器件标称耗散功率 1.25W,意味着在未采取良好散热措施的情况下,长时间 6A 连续通过会触及热极限或需降额运行。
  • 栅极驱动能量:以 Qg=7.7 nC、VGS=4.5V 估算,单次开关的栅极能量约 E ≈ 0.5·Qg·VGS ≈ 17.3 nJ;若开关频率为 100 kHz,则栅极驱动功率约 1.73 mW,栅极驱动损耗在多数系统中并不显著,但在更高频率下应考虑驱动器能力与开关损耗。
  • 开关特性相关电容:Ciss=574 pF、Crss=60 pF、Coss=70 pF,属于中等水平,开关时的过渡损耗与寄生耦合需通过合理栅阻与缓冲策略控制。

四、典型应用场景

  • 便携设备电源管理:作为负载开关、通断电路、外设电源控制。
  • 低压 DC‑DC 转换器:低侧开关或同步整流(需注意开关损耗与热管理)。
  • 电池保护与电源路径管理:反向阻断、自动开关。
  • 小功率马达驱动、电机控制与 LED 驱动(需确认连续电流与散热能力)。

五、PCB 布局与热管理建议

  • SOT‑23 为小型封装,热阻相对较大。若需接近或达到额定 6A,应增大铜箔面积并在封装下方扰铜或接地平面以改善散热。
  • 将漏极铜箔与散热层尽量增大,使用多层板下联铜平面以降低结-环境热阻。
  • 在空间允许条件下,考虑使用散热片或改用更大封装(如 SO‑8、DFN)以获得更好的持续传导能力。
  • 在设计时为安全起见对 Pd 做温度降额:高环境温度时降低允许连续电流。

六、驱动与开关性能注意事项

  • 建议以 4.5V 门驱动可获得标称 RDS(on)。若使用 2.5V 或更低电平驱动,应验证 RDS(on) 在该 VGS 下的变化(数据表通常给出 4.5V/10V 下的 RDS(on))。
  • 为抑制振铃与限制 dv/dt,可在门极串联 10~100 Ω 的栅极电阻,根据系统开关速度与 EMI 要求调整。
  • 对于高频开关,应关注 Crss 导致的栅-漏耦合(米勒效应),必要时增加栅极驱动能力或采用缓冲驱动。
  • 体二极管存在于 N‑MOSFET 内部,适用于续流路径,但二极管导通时的能量与热耗需在设计中考虑。

七、选型与使用建议

  • 若系统需要长期稳定的 6A 连续电流,应谨慎评估实际 PCB 散热条件;在通用 PCB 上,建议将工作电流额定在安全边际内(例如低于 6A 或采用脉冲工作模式)。
  • 对于高频开关或高能量应用,优先评估开关损耗、Crss 带来的影响,必要时选择更低 Qg 或更低 Ciss 的器件以降低开关损耗。
  • 若仅为低频或静态开关(例如负载开关),WNM2016A 在体积与 RDS(on) 权衡上具有较好性价比。

八、封装与环境可靠性

  • 封装:SOT‑23(便于自动贴片与小型化设计)。
  • 环境工作温度:-55 ℃ ~ +150 ℃,满足一般工业等级温度要求,但高温下器件热耗需降额使用。

结论:WNM2016A 以其 20V 额定电压、在 4.5V 驱动下 35 mΩ 的低导通电阻和小型 SOT‑23 封装,适合便携设备与低压电源管理用途。设计时应重点关注散热与开关损耗,在连续大电流场合做好 PCB 散热或考虑更大封装以保证可靠性。