PESDNC2FD5VBS 产品概述

PESDNC2FD5VBS 是 Prisemi（芯导）推出的一款面向静电放电与浪涌防护的双向 TVS/ESD 二极管，封装为紧凑型 DFN1006，专为 5V 制式的接口和信号线提供高效保护而设计。该器件兼顾低结电容与快速钳位特性，适用于需要高抗扰度与低信号失真的便携、消费及工业电子产品。

一、主要电气参数

• 钳位电压（Vclamp）：9.5 V（典型）——在峰值脉冲流通过时的钳位电压，决定受保护节点的最大瞬时电压。
• 击穿电压（Vbr）：5.6 V（典型）——器件进入雪崩工作区的电压点。
• 反向截止电压（Vrwm）：5 V ——设备在正常工作时的最高反向耐受电压，适配 5V 系统。
• 峰值脉冲电流（Ipp）：5 A ——单次脉冲峰值承受能力（按规范测试条件）。
• 反向电流（Ir）：1 µA ——在 Vrwm 下的漏电流，保证低静态功耗。
• 结电容（Cj）：12 pF ——低电容设计，降低对高速信号的影响。
• 极性：双向 ——可在双向电压突变（正/负）下工作，无需外加极性处理。
• 防护等级：符合 IEC 61000-4-2（ESD）与 IEC 61000-4-4（EFT/脉冲群）标准。
• 类型：ESD（瞬态电压抑制器）
• 封装：DFN1006 ——超小型、适合高密度 PCB 布局。

二、典型应用场景

• USB、UART、I2C、SPI 等 5V 或 TTL 电平的接口保护；
• 移动设备、便携式仪器、人机界面（触摸按键）等前端抗静电设计；
• 工业控制与测量设备中对外引线的浪涌防护；
• 需要在有限空间内实现ESD/浪涌保护且对信号完整性有要求的场合。

三、器件特点与优势

• 低钳位电压（9.5 V），有效保护后端敏感器件免受高压冲击；
• 低结电容（12 pF），对高速信号干扰小，适合多数数据信号线；
• 双向结构，简化对双极性干扰的保护设计；
• 小尺寸 DFN1006，利于高密度布线与自动化贴装；
• 符合 IEC 抗扰度规范，测试认证提高系统可靠性。

四、设计与布局建议

• 将 TVS 芯片尽量靠近被保护的接口或连接器放置，以缩短走线并降低回路电感；
• 抑制回路中可并联小阻值串联电阻或使用共模滤波器以分摊能量、改善浪涌承受能力；
• 对高速差分信号需评估 12 pF 电容对速率的影响，若要求更低电容可考虑专用低容器件；
• 安装时遵循制造商的回流焊温度曲线与防静电操作规范，避免热损伤与静电触发。

五、注意事项与限制

• 本器件为瞬态保护元件，不适合作为持续过压源的主保护措施；
• 对于大能量浪涌（例如雷击近闪）需配合多级保护策略（熔断器、金属氧化物避雷器等）；
• 长期在临近 Vrwm 的高温环境下可能会增加漏电流，应做温漂评估。

PESDNC2FD5VBS 以其小体积、低电容与符合 IEC 标准的保护性能，成为 5V 接口和信号线的理想抗干扰元件，适合追求体积与性能平衡的电子系统设计。若需更详细的绝对最大额定值、波形曲线及封装尺寸，请参考厂家 Datasheet 以完成最终电路验证。