PPM723T201E0 — Prisemi (芯导) 20V P沟道 MOSFET（SOT-723）产品概述

一、产品简介

PPM723T201E0 是 Prisemi（芯导）推出的一款小封装 P 沟道场效应管，采用超小型 SOT-723 封装，面向便携式和板级电源管理场景。器件在轻载高侧开关与反向阻断、低压域电源切换等应用中表现优异，兼顾低电容与低栅荷的快速切换特性。

二、主要电气参数

• 类型：P 沟道 MOSFET
• 漏源耐压 Vdss：20 V
• 连续漏极电流 Id：800 mA
• 导通电阻 RDS(on)：450 mΩ @ Vgs = 4.5 V
• 总栅电荷 Qg：1.4 nC @ Vgs = 4.5 V
• 输入电容 Ciss：110 pF
• 反向传输电容 Crss：5 pF
• 输出电容 Coss：9 pF
• 封装：SOT-723（超小外形，适合高密度 PCB）

三、主要特性与优势

• 低电阻、适用于小电流高侧开关：450 mΩ 的导通电阻在 800 mA 级别负载下可保证较低的功耗。
• 小栅极电荷与中等输入电容：Qg = 1.4 nC 与 Ciss = 110 pF 有利于减少门极驱动能量与提升开关速度，适合电源管理与快速断开场景。
• 极小封装尺寸：SOT-723 适用于空间受限的移动设备、可穿戴与 IoT 模块。
• 低 Crss 有利于减小开关时的 Miller 效应，便于精确控制开关瞬态。

四、典型应用场景

• 电池供电设备的高侧负载开关与电源路径选择
• 便携式设备、可穿戴、蓝牙模块等板级电源管理
• 反向电流阻断（反接保护）与简单的负载断电控制
• 低功耗、快速切换需求的电源分配与负载隔离

五、使用建议与布局要点

• 栅极驱动：规格中以 Vgs = 4.5 V 时给出 RDS(on)，实际设计时应确保栅源电压有足够幅度以获得期望导通；P 沟道 MOSFET 在高侧通常以源接正电位，栅极施加低于源的电压以导通。
• 热管理：SOT-723 封装散热能力有限，长时间接近额定电流时会产生明显温升。建议使用较宽的铜箔散热环与热过孔，PCB 上保守控制电流和功耗。
• 噪声与开关过渡：尽管 Qg 和 Ciss 不大，但快速切换仍可能产生尖峰，建议在门极串入小阻以限制 dv/dt 并在必要处并联 RC 吸收网络。
• 布局：最小化漏-源和栅极回路的寄生电感与电阻，靠近 MOSFET 放置去耦电容以抑制瞬态电压。

六、封装与选型注意

SOT-723 的优点是尺寸小，但也带来功耗与热阻限制。选型时请参考完整数据手册确认最大栅源电压、脉冲/短时电流能力、热阻（RθJA）与封装引脚安排。针对不同应用，若需承载更大电流或更低 RDS(on)，可考虑更大封装或并联多只器件。

如需器件完整电气特性曲线、温度相关参数或推荐电路，请参照 Prisemi 官方数据手册或联系供应商获取样品与技术支持。