PESDNC2FD3V3BS 产品概述

一、概述

PESDNC2FD3V3BS 是 Prisemi（芯导）推出的一款小封装双向瞬态抑制二极管（TVS），专为 3.3V 工作电压系统提供瞬态浪涌与静电放电保护。器件具有低反向漏电、快速响应和良好的钳位性能，适用于各类数字接口与电源节点的浪涌、ESD 和 EFT 保护需求。

二、主要特性

• 极性：双向，适合保护双向数据线或对称电源线路。
• 反向截止电压 Vrwm：3.3V（适配 3.3V 供电系统）。
• 击穿电压：典型 6.5V。
• 钳位电压 Vc：10.5V（Ipp 条件下）。
• 峰值脉冲电流 Ipp：5A（8/20µs 测试波形）。
• 反向电流 Ir：1µA（典型，低漏电便于低功耗系统使用）。
• 结电容 Cj：9.5pF（适配多数高速信号线，兼顾保护与信号完整性）。
• 防护等级：符合 IEC 61000-4-2（ESD）与 IEC 61000-4-4（EFT）规范。
• 封装：DFN1006-2L，体积小、引线电感与热阻低，便于贴片工艺。

三、应用场景

• 3.3V 数字电路的接口保护：UART、SPI、I²C 等。
• 通信与差分信号线：RS-485、CAN 总线（双向保护便于双向浪涌抑制）。
• USB/网络/摄像头模块的输入端、外部连接器与线缆接口。
• 工业控制与物联网终端，需满足 ESD/EFT 抗扰度的场合。

四、设计与使用建议

• 布局：器件应靠近受保护的连接器或引脚放置，走线尽量短且对称，以降低回路电感与延迟。
• 多级保护：对于对钳位电压敏感的器件，可与串联电阻、滤波器或瞬态电源隔离元件配合使用，以降低被保护节点上的尖峰电压。
• 速率考虑：9.5pF 的结电容在多数低至中速接口下影响较小；对超高速信号（例如高速 USB、千兆以太网）需评估信号完整性并选择更低电容的保护方案。
• 热与浪涌能力：5A@8/20µs 的峰值能力适用于典型的瞬态脉冲防护，若需更高能量吸收请并联或采用更高额定器件并综合热设计。

五、产品优势总结

PESDNC2FD3V3BS 以小型 DFN1006-2L 封装提供对 3.3V 系统的高效双向瞬态保护，兼容 IEC ESD/EFT 标准，低漏电与适中的结电容使其在便携与工业场景中具有良好适用性。其 10.5V 的钳位电平和 5A 的脉冲吸收能力在保护敏感接口同时，兼顾成本与 PCB 布局优化，是常见 3.3V 接口防护的可靠选择。