PESDNC2FD5VB 产品概述

一、产品简介

PESDNC2FD5VB 是 Prisemi（芯导）推出的单路双向静电与浪涌保护器件（TVS/ESD），封装为超小型 DFN1006，专为对敏感信号线和低压供电线进行瞬态过压保护设计。器件针对工业级浪涌与静电脉冲，能在瞬态事件中吸收能量，保护后端器件不被击穿或损坏。

二、主要电气参数

• 钳位电压（Vc）：10V / 13V / 15V（不同型号或测量条件下典型值）
• 击穿电压（Vbr）：典型 6.7V
• 反向截止电压 Vrwm：5V（适合 5V 系统）
• 峰值脉冲功率 Ppp：80W @ 8/20 µs
• 峰值脉冲电流 Ipp：5.5A @ 8/20 µs
• 结电容 Cj：15 pF（低电容，适合高速信号线）
• 反向漏电流 Ir：≈1 µA
• 通道数/极性：单路 / 双向
• 标称类型：ESD / TVS
• 封装：DFN1006（超小型封装）
• 符合标准：IEC 61000-4-2（静电放电）、IEC 61000-4-4（快速瞬变脉冲）

三、特点与优势

• 双向保护：无需区分极性，适用于双向数据线或交流类瞬态。
• 低结电容（15 pF）：对高速接口（例如 USB、信号线）影响小，保留信号完整性。
• 高能量吸收能力：80 W/8/20 µs 与 5.5 A 峰值脉冲电流，能有效抑制常见浪涌与 ESD 事件。
• 低漏电流：1 µA 水平，有利于待机/低功耗系统。
• 小体积封装：DFN1006 有利于空间受限的移动或便携产品设计。

四、典型应用场景

• 5V 信号保护：USB、I2C、UART 等通用接口保护。
• 通讯与接口板卡：防止外部连接器带入的静电与浪涌。
• 工业与消费电子设备的输入输出保护。
• 对需要低电容且高可靠性的高速数据线保护场合。

五、PCB 布局与使用建议

• 保护器件尽量靠近受保护的外部端口或连接器放置，缩短引线长度以降低寄生电感。
• 在器件与地之间使用单一、短的回流路径；若有多层板，建议在器件下方或附近放置连续地平面并通过多颗地通孔回流。
• 对高速信号，注意 Cj 的影响，必要时在布线中做仿真确认信号完整性。
• 对于功率散热，DFN1006 本身散热受限，若在高能事件频繁出现的环境，考虑增加散热铜箔或选择更高功率等级的器件。

六、选型与注意事项

• 根据被保护电路能承受的最大钳位电压选择 10V/13V/15V 版本，确保在峰值冲击下后端器件不会超压。
• 若用于严格的 5V 信号线，Vrwm=5V 的特性非常匹配，但要确认钳位电压在脉冲电流下不会损伤后端元件。
• 注意环境与标准要求，器件满足 IEC 61000 系列测试要求，适合需要抗 ESD/EFT 能力的应用。

七、可靠性与封装信息

PESDNC2FD5VB 以 DFN1006 超小封装提供，适合空间受限设计，品牌为 Prisemi（芯导），在工业与消费类应用中具有良好的抗静电与抗浪涌表现。使用前建议参考器件数据手册中的典型波形、热阻和焊接工艺规范，以确保长期可靠性。