PESDHC2FD4V5BH 产品概述

一、产品简介

PESDHC2FD4V5BH 是 Prisemi（芯导）推出的一款单路双向 TVS/ESD 防护器件，采用小型 DFN1006 封装，专为静电放电与浪涌冲击保护设计。器件集成快速钳位特性与高脉冲能量承受能力，可在受扰动瞬态发生时保护下游敏感电路免受损伤。

二、主要参数

• 钳位电压（Vc）：18 V（典型，受测试条件影响）
• 反向截止电压 Vrwm：4.5 V
• 峰值脉冲功率 Ppp：500 W（8/20 μs）
• 峰值脉冲电流 Ipp：36 A（8/20 μs）
• 结电容 Cj：80 pF
• 反向漏电流 Ir：1 μA（典型）
• 通道数：单路；极性：双向
• 符合标准：IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5

三、关键特性

• 高能量吸收：500 W（8/20 μs）脉冲功率及 36 A 峰值脉冲电流，可应对常见的浪涌与脉冲冲击。
• 低漏流：典型反向漏电仅 1 μA，有利于低功耗系统长期稳定工作。
• 小型封装：DFN1006 占板面积小，适合空间受限的便携或消费类电子产品。
• 双向保护：对称钳位，适用于信号线两极性短时过压情况，无需区分方向。

四、适用场景

PESDHC2FD4V5BH 适合用于需对单通道信号或电源线进行瞬态保护的场合，典型应用包括：

• USB/通信接口（对 5V 及偏低工作电压系统）
• 充电口与电源输入保护
• 工业总线（如需容忍较高结电容的串口、CAN、RS-485 等）
• 人机界面与外部连接器的静电防护

注意：器件结电容约 80 pF，对高速差分信号（如高速 USB、HDMI）可能产生影响，选型时需权衡信号完整性要求。

五、典型接法与 PCB 布局注意事项

• 典型接法：双向 TVS 两端并联于被保护线与地（或参考地）之间；若用于对称差分线，需在每条线上各放置器件或采用差分保护方案。
• 布局建议：靠近被保护的连接器或线路端放置，走线最短、回路面积最小；器件的接地焊盘应通过多盏过孔连接至地平面以提高散热与回流能力；避免将敏感信号走线穿过大面积地铜皮切割区域以防产生杂散电容。

六、可靠性与选型建议

PESDHC2FD4V5BH 满足常见的 IEC 静电与浪涌测试，可显著提升产品对瞬态事件的耐受性。选型时应根据系统工作电压、允许的漏电与结电容上限、以及目标接口的信号速率进行权衡：若对高速信号要求极高且对引入电容非常敏感，可考虑更低 Cj 的替代器件；若侧重大能量浪涌吸收与小体积封装，本器件为较优选择。