TPD1E01B04DPYR-ES 产品概述

一、产品简介

TPD1E01B04DPYR-ES 是 ElecSuper（静芯微）推出的一款单路双向 ESD 抑制器，专为 3.3V 边沿逻辑和高速数据线提供静电放电保护而设计。器件采用小尺寸 DFN1006-2L 封装，体积小、布板灵活，适合移动终端、通信接口和消费电子等空间受限场合。

二、主要性能

• 极性：双向，适合对称信号线保护
• 反向截止电压 Vrwm：3.3V（适配 3.3V 系统）
• 击穿电压 Vbr：3.7V
• 钳位电压 Vcl：10V（典型峰值钳位）
• 峰值脉冲电流 Ipp：10A（8/20µs）
• 峰值脉冲功率 Ppp：100W（8/20µs）
• 反向漏电流 Ir：≤1µA（常温）
• 结电容 Cj：15pF（对高速信号有一定影响）
• 工作温度：-40℃ 至 +125℃
• 防护等级：符合 IEC 61000-4-2 ESD 抗扰要求

三、典型应用

• USB、HDMI、LVDS、MIPI 等高速数据接口的防护
• 智能手机、平板、笔记本等移动设备外部接口
• 工业控制与通信设备的人机界面（HMI）和信号输入端保护
• 任何需要在 3.3V 逻辑电平下实现单通道 ESD 保护的场合

四、封装与引脚

器件采用 DFN1006-2L 小型封装，便于在紧凑 PCB 上靠近被保护接口布置。建议将器件尽量靠近连接器放置，短而宽的接地回流路径有利于降低钳位电压和吸收能量。

五、使用建议

• 布局：器件应尽量靠近受保护的插针或连接器，保护端到器件的走线应最短最粗；将地端通过多条过孔快速引至地层，减小回流阻抗。
• 与高速信号兼容性：15pF 的结电容对高频信号会有影响，在对带宽要求高的接口（如高速串行链路）需评估信号完整性，必要时选择更低 Cj 的器件或并用差分匹配措施。
• 热与功耗：在高能量冲击下器件能承受 10A/8/20µs，常规多次 ESD 耐受需结合系统整体防护设计。
• 焊接与可靠性：推荐按无铅回流焊工艺规范进行焊接，避免超过器件应力极限的温度和时间。

六、可靠性与合规

TPD1E01B04DPYR-ES 符合 IEC 61000-4-2 ESD 抗扰标准的设计要求，低漏电、宽工作温度范围及稳健的脉冲功率处理能力，使其在商业和工业环境中均具备良好的可靠性表现。适用于对静电放电敏感的接口保护需求。