BYG10YHE3_A/H 产品概述

一、产品简介

BYG10YHE3_A/H 是 VISHAY（威世）出品的一款标准恢复（standard recovery）整流二极管，面向中等电流、高压整流及脉冲冲击环境。器件采用 SMA（DO‑214AC）封装，结合高达 1.6 kV 的反向耐压与 1.5 A 的整流电流能力，适用于各类高压电源与脉冲应用场景。

二、主要参数

• 型号：BYG10YHE3_A/H（VISHAY）
• 封装：SMA (DO‑214AC)
• 直流反向耐压 Vr：1600 V（1.6 kV）
• 正向压降 Vf：1.15 V @ 1.5 A
• 连续整流电流 If(AV)：1.5 A
• 反向电流 Ir：1 µA @ 1600 V
• 反向恢复时间 Trr：4 µs（标准恢复）
• 非重复峰值浪涌电流 Ifsm：30 A
• 雪崩能量（非重复）：20 mJ
• 工作结温范围：-55 ℃ ~ +150 ℃

三、性能特点与设计亮点

• 高耐压能力：1.6 kV 的反向耐压使该器件适合高压整流、倍压器与高压供电路径。
• 低漏电流：在最大反向电压下仅 1 µA 的反向电流，有利于高阻抗或漏电敏感的高压电路。
• 稳定的正向压降：1.15 V @ 1.5 A 的典型正向压降，对热耗与功耗评估有利，适合中等电流的整流应用。
• 合理的浪涌与雪崩能力：30 A 的峰值浪涌电流与 20 mJ 的单次雪崩能量，为短时冲击和错误工况提供保护冗余。
• 标准恢复特性：Trr ≈ 4 µs，属于标准恢复二极管，适合开关频率不太高的场合；在高频快速开关中需评估反向恢复引起的开关损耗及电磁干扰（EMI）。

四、典型应用场景

• 高压整流与倍压器（高压直流电源、加速器、高压发生器）
• 工业级高压电源、静电发生器、离子发生器
• 医疗成像（高压模块）、X‑ray 供电（需按系统规范评估）
• 充电机、HV 测试设备与高压测量仪器
• 开关电源中低频段的二次整流或箝位电路
• 对短时浪涌或单脉冲具有一定耐受要求的场合

五、使用与热管理建议

• 封装热阻限制：SMA 封装在 1.5 A 连续整流工作下，封装热阻与 PCB 散热能力是限制器件寿命与可靠性的关键。建议在 PCB 上增加铜箔散热面积并采用多层过孔热通道来降低结温。
• 结温控制：尽量保证器件结温远离上限（150 ℃），并根据实际环境对额定电流进行必要的降额。
• 焊接与回流：按照 VISHAY 的焊接工艺文件执行回流曲线与预热要求，避免因过热损伤器件。
• 反向恢复影响：Trr = 4 µs 对开关频率敏感，若在高频开关（例如几十到几百 kHz）中使用，会增加开关损耗与 EMI，必要时考虑快恢复或超快恢复二极管 / 快恢复整流器替代。
• 串联应用注意事项：若为更高电压要求采用串联多个二极管，需要保证静态与动态电压均衡（使用阻容均衡电路或匹配器件），以避免单体过压失效。

六、可靠性与保护

• 雪崩与浪涌能力：器件能承受 20 mJ 的单次雪崩能量与 30 A 的非重复峰值冲击，但这类耐受为一次性或局部保护级别；系统设计中建议配合限流或保护电路（如熔断器、限流元件）以避免重复损伤。
• 工作温度范围广：-55 ℃ ~ +150 ℃ 的结温适配恶劣环境，但高温长期运行会加速老化，需做长期可靠性评估。
• 表面标识：SMA 封装带有极性标识（阴极带），便于正确安装。

七、选型建议与替代参考

• 若应用对开关频率与开关损耗敏感，优先考虑快恢复（FR）或超快恢复（UFRED）二极管，或在必要时使用肖特基二极管（但肖特基高压品种受限）。
• 若需要更大连续电流或更低正向压降，可选择更大封装（如 DO‑214AA/DO‑214AB）或更高等级器件。
• 在高可靠性或医疗、航空等关键领域，结合供应商的可靠性报告、认证与试验数据进行最终选型。

BYG10YHE3_A/H 以其高耐压、小尺寸和合理的浪涌能力，适合各类中等电流的高压整流与脉冲应用。设计时应综合考虑热管理与反向恢复特性，保证长期可靠运行。若需具体电气曲线、封装尺寸或回流焊接数据，建议查阅 VISHAY 官方数据手册或与供应商技术支持联系获取完整规范。