NTF3055-100T1G 产品概述

一、概述

NTF3055-100T1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款单片 N 沟道功率 MOSFET，额定漏源电压为 60V，连续漏极电流 3A，主要面向中低功率开关与载流场合。器件封装为 SOT-223，适合表面贴装并可通过 PCB 铜箔进行散热。

二、主要参数

• 漏源电压 Vdss：60V
• 连续漏极电流 Id：3A
• 导通电阻 RDS(on)：110mΩ @ Vgs=10V, Id=1.5A
• 阈值电压 Vgs(th)：4V @ 250µA
• 耗散功率 Pd：2.1W
• 输入电容 Ciss：455pF；输出电容 Coss：50pF；反向传输电容 Crss：155pF
• 工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
• 封装：SOT-223（单 N 沟道）

三、性能要点与应用建议

该器件在 Vgs=10V 驱动下具有较低的导通阻抗，适用于开关频率中低、对导通损耗敏感的场合。Ciss/Crss 特性决定了驱动时需考虑栅极电荷和米勒效应，驱动器应提供足够电流以保证快速切换；对于大电感负载，建议并联续流二极管或使用 RC 吸收以抑制尖峰电压。

四、典型应用

• 直流-直流 转换（同步/非同步拓扑中的开关管）
• 低压电源开关、负载开关与电源保护
• 小型电机驱动与驱动级前端开关
• 工业控制与消费类电子中中等电流开关应用

五、散热与可靠性提示

SOT-223 封装散热依赖 PCB 铜箔面积，2.1W 的耗散在无额外散热时需注意热阻与结温上升，应根据实际 PCB 布局和工作环境进行热仿真或留足铜箔并考虑降额使用。高温环境下应关注 RDS(on) 随温度上升导致的损耗增加。

总结：NTF3055-100T1G 在 60V/3A 级别提供了均衡的导通电阻与封装便利性，适合对体积和成本有要求的中低功率开关应用。