SI2328A 产品概述

一、主要规格与参数

SI2328A 为友台（UMW）推出的一款表面贴装型 N 通道功率 MOSFET，适用于中低功率高压开关场合。主要参数如下：

• 漏源电压 Vdss：100 V
• 连续漏极电流 Id：资料中标注 1.5 A（另有 Ta 条件下 1.15 A 的典型额定值，请以具体 Datasheet 为准）
• 导通电阻 RDS(on)：245 mΩ @ Vgs=10 V；265 mΩ @ Vgs=4.5 V
• 耗散功率 Pd：资料显示 1.25 W（部分标注在 Ta 条件下为 730 mW，请按实际工况与散热条件换算）
• 阈值电压 Vgs(th)：典型 2 V，最大可达 4 V（测量条件 Id=250 μA）
• 栅极总电荷 Qg：3.3 nC @ Vgs=10 V
• 输入电容 Ciss：1.05 nF
• 工作温度范围：-55 ℃ ~ +150 ℃
• 封装：SOT-23（表面贴装）

二、主要性能特点

• 100 V 耐压使其适用高于一般逻辑电平器件的开关场景（如中小功率升压、开关电源初级或继电器驱动）。
• 低至几百毫欧的 RDS(on) 在 10 V 驱动下导通损耗较低，适合配合 10 V栅源驱动器使用；在 4.5 V 驱动下仍能维持可接受的导通电阻，有利于某些 5 V 系统。
• 3.3 nC 的较小栅极电荷，意味着栅极驱动能耗和开关损耗都较小，易于被小型驱动器或 MCU 驱动。

三、典型应用场景

• 中小功率 DC-DC 转换器开关管（辅助或次级应用）
• 低电流电机或继电器驱动、电源管理开关（负载开/关）
• 便携设备电源路径切换、反向保护与负载断开等场合
  注意：SOT-23 封装限制了持续散热能力，不建议用于长期大电流高耗散场合，除非有良好 PCB 散热设计。

四、设计计算与选型建议

• 导通损耗近似为 Pcond = I^2 × RDS(on)。例如 Id=1 A 时，Pcond ≈ 0.245 W（Vgs=10 V）；在 Vgs=4.5 V 时约 0.265 W。
• 栅极驱动功耗可用公式 Pgate = Qg × Vdrive × f 估算；平均栅极电流 Ig = Qg × f。举例：在 f=100 kHz、Vdrive=10 V 时，Pgate ≈ 3.3 nC × 10 V × 100 kHz = 3.3 mW，Ig ≈ 3.3 nC × 100 kHz = 0.33 mA，表明栅极驱动能耗较低。
• 若驱动电压仅为 3.3 V，应参考厂方曲线评估 RDS(on) 在低 Vgs 下的变化，以免导通损耗显著上升。
• 推荐在栅极串联小电阻（10–100 Ω）以抑制振铃与限制峰值电流，根据开关速度与 EMI 要求调整。

五、热管理与可靠性建议

• SOT-23 封装散热条件有限，器件的最大可允许耗散 Pd 与封装、PCB 铜箔面积密切相关。设计时应放大散热铜箔、使用热过孔或接地铜区域以降低结壳温升。
• 系统设计应保证结温在安全范围内（≤150 ℃），并考虑峰值和连续工况下的功耗累积。
• 在高温或连续高电流条件下，应以实测温升与热阻为依据调整工作点，避免长期热应力导致可靠性下降。

总结：SI2328A 在 100 V 电压等级上提供了适中的导通电阻与较小的栅极电荷，适合中低功率、高压开关与电源管理场合。选型时需关注封装散热能力与驱动电压对 RDS(on) 的影响，并按实际 PCB 散热条件做热设计验证。