74HC07M/TR 产品概述

一、产品简介

74HC07M/TR（华冠 HGSEMI）为六通道非反相缓冲/驱动器，输出为开漏（open-drain），适用于需要线与逻辑“有源拉低”或多路汇流（wired-AND/wired-OR）等场合。器件工作电压范围宽（2V～6V），单片包含6位缓冲单元，封装为 SOP-14，工业级温度范围 -55℃～+125℃，适合多种工业与消费类电子设计。

二、主要特性

• 输出类型：开漏（需外部上拉电阻或上拉网络）
• 工作电压：2.0V ～ 6.0V
• 通道数：1 芯片内含 6 位缓冲器
• 静态电流（Iq）：典型 20 μA（空载低功耗，有利于电池供电设计）
• 传播延迟（tpd）：6 ns @ 6V、CL=50 pF（时序随负载与供电电压变化）
• 封装：SOP-14，易于插装与表面贴装

三、电气与时序要点

74HC07 为开漏输出，逻辑“1”需由外部上拉电阻或电源拉起，上拉电压应与 VCC 匹配且不得超过器件额定电压。传播延迟随 VCC 和负载电容增加而变长，厂家给出参考值为 6 ns（6V、50 pF）。静态电流低，适合低功耗应用，但在输出高电平时功耗由上拉网络决定。

四、典型应用

• 总线线与多源输出的有源拉低（如多主机通信线）
• 与开漏/开集电极外设配合实现有线-AND/有线-OR
• 逻辑信号缓冲与门间驱动（对输入端容性负载隔离）
• 不能直接驱动大电流负载（如继电器、功率 LED），需配外部晶体管或 MOSFET 驱动

五、封装与可靠性

SOP-14 小型封装便于 PCB 密集布局，工作温度覆盖 -55℃ 至 +125℃，适合严苛环境。设计时应注意器件的最大额定电压与瞬态耐受，避免超过器件极限引起失效。

六、使用建议与布板注意

• 必装去耦电容：VCC 与 GND 之间 0.1 μF 陶瓷电容，靠近引脚放置，抑制瞬态噪声。
• 上拉电阻选型：低速可用 10 kΩ，通用应用 4.7 kΩ～2.2 kΩ，高速或大负载可用 1 kΩ 或更小（但会增加功耗）。
• 上拉电压不得超过 VCC；若需做电平移位，请采用专用电平转换方案。
• 输出不能作为电流源使用，若驱动大电流负载请外接功率级。
• PCB 布线尽量缩短关键信号路径，避免长走线产生寄生电容/感应，影响上拉和切换性能。

74HC07M/TR 因其开漏特性、低静态电流与宽工作电压，适合需要可控下拉、总线共享与低功耗缓冲的场景。在选型与设计时，重点关注上拉策略、负载要求与系统时序匹配。