TPM27524-DF6R 产品概述

一、产品简介

TPM27524-DF6R 是 3PEAK 提供的一款双通道、非反相低端栅极驱动器（low-side gate driver），专为驱动 MOSFET 与 IGBT 而设计。器件工作电压范围宽（4.5V～23V），适应多种功率级供电方案；工作温度范围为 -40℃～+125℃，适用于严苛的工业环境。

二、主要特点

• 双通道驱动，输出与输入同相（非反相），便于直接驱动低边功率开关；
• 宽工作电压：VCC = 4.5V ~ 23V，灵活适配不同驱动电平；
• 输入门限：VIH = 1.65V，VIL = 1.4V，兼容低电平逻辑电平输入；
• 开关速度快：典型上升时间 tr = 7ns，下降时间 tf = 6ns，可应对高频开关需求；
• 封装：DFN-8 (3x3)，带底部散热焊盘，利于热量释放与小型化布局。

三、典型电气参数

• 输入逻辑：高电平有效需 ≥1.65V，低电平判定 ≤1.4V；建议输入信号有明确的噪声裕度；
• 驱动对象：适用于各类功率 MOSFET 与 IGBT 的栅极驱动；注意根据器件门极电容选择合适的驱动阻抗与布局以控制振铃和 EMI；
• 开关性能：在典型测试条件下，上升/下降时间分别为约 7ns / 6ns（实际值受负载电容、串联阻抗等影响）。

四、封装与热管理

DFN-8 (3x3) 小尺寸封装，带裸露底部散热焊盘，建议在 PCB 设计时：铺设充足的散热铜箔、通过焊盘与多层散热层连接；紧靠 VCC 和 GND 引脚放置 0.1µF 陶瓷退耦电容以抑制瞬态电流；若工作在高占空比/高频率，应评估结温并适当降额使用。

五、典型应用

适用于需要紧凑、高速低端栅极驱动的场合，例如：DC-DC 开关电源、同步整流、无刷电机驱动、功率级开关模块、工业控制与电源管理系统等。

六、设计注意要点

• 去耦与布局：VCC 到 GND 的去耦电容应尽量靠近器件电源引脚焊盘，减少寄生回路；
• 栅极阻抗：对大电容门极推荐串联门极电阻以控制 dV/dt、抑制振铃并降低电磁干扰；
• 保护措施：对 IGBT 可并联缓冲电阻或 RC 浪涌器件，并在必要时加短路保护与过温检测；
• 输入接口：鉴于 VIH/VIL 较接近，输入信号来源应保证清晰的电平转换并避免长线干扰。

如需完整电气特性表、引脚排列图和典型应用电路图，请提供更详细的测试条件或索取 3PEAK 官方数据手册以便精确设计与验证。