型号:

MC34074DR2G

品牌:ON(安森美)
封装:SOIC-14
批次:两年内
包装:编带
重量:0.36g
其他:
-
MC34074DR2G 产品实物图片
MC34074DR2G 一小时发货
描述:运算放大器 4 放大器 4.5 MHz 10 V/µs 3V 至 44V SOIC 14
库存数量
库存:
7047
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.14
2500+
1.08
产品参数
属性参数值
放大器数四路
增益带宽积(GBP)4.5MHz
输入偏置电流(Ib)100nA
输入失调电压(Vos)3mV
共模抑制比(CMRR)97dB
压摆率(SR)13V/us
静态电流(Iq)1.9mA
输入失调电压温漂(Vos TC)10uV/℃
输出电流30mA
工作温度0℃~+70℃
单电源3V~44V
最大电源宽度(Vdd-Vss)44V
噪声密度(eN)32nV/√Hz@1kHz
输入失调电流(Ios)75nA

MC34074DR2G 产品概述

一、概述

MC34074DR2G 是 ON Semiconductor(安森美)推出的一款四路运算放大器,面向工业与消费类模拟信号处理场景。器件以宽电源电压范围和较低噪声特性为主要卖点,支持单电源供电 3V 至 44V,能在较宽的电压条件下稳定工作,适合需要多通道放大器的系统设计。

二、主要性能参数

  • 放大器通道数:4 路(四运放)
  • 电源电压(最大差):VDD–VSS 可达 44 V,单电源工作 3 V 至 44 V
  • 共模抑制比(CMRR):97 dB(典型)
  • 输入失调电压(Vos):3 mV(典型)
  • 输入失调电压温漂(Vos TC):10 µV/°C
  • 输入偏置电流(Ib):100 nA;输入失调电流(Ios):75 nA
  • 噪声密度(en):32 nV/√Hz @ 1 kHz
  • 增益带宽积(GBP):4.5 MHz
  • 压摆率(SR):约 13 V/µs(典型)
  • 输出电流能力:最大约 30 mA
  • 静态电流(Iq):1.9 mA(器件整片典型值;具体请参考数据手册)
  • 工作温度范围:0 ℃ 至 +70 ℃
  • 封装:SOIC-14

这些参数表明 MC34074 适合中等带宽、对噪声和失配有一定要求的多通道模拟前端应用。

三、典型应用场景

  • 传感器信号调理:宽电源范围使其可直接配合多种传感器供电,输入偏置和失调较小,有利于精确放大微弱差分信号。
  • 多通道滤波与缓冲:四路同芯片配置降低 PCB 面积与成本,适用于多通道主动滤波器、采样前缓冲等。
  • 音频前端与驱动:13 V/µs 的压摆率和 32 nV/√Hz 噪声水平可满足一般音频放大与缓冲需求(非高端超低噪声音频专用器件)。
  • 工业控制与测量:宽电源与较高输出驱动能力适合工业信号链路和简单驱动任务。

四、封装与供货信息

MC34074DR2G 提供 SOIC-14 封装,便于标准 SMT 工艺装配与散热设计。器件型号后缀 DR2G 属于 ON Semiconductor 的卷带包装与管式供货格式标识,具体包装数量与库存请参考安森美官网或授权分销商。

五、设计与使用建议

  • 电源旁路:为保证噪声与瞬态性能,建议在 VCC 及地之间靠近引脚放置 0.1 µF 陶瓷与 10 µF 电解并联去耦。
  • 稳定性考虑:在驱动容性负载或用于高环路增益时,应参考数据手册关于补偿与相位裕度的说明,必要时加入小串联电阻或滞回网络以防振荡。
  • 热与散热:在高电源电压或大输出电流情况下注意功耗与封装结温,必要时采用散热铜箔或降载设计。
  • 精度校准:若系统对直流精度要求较高,可通过外部偏置或软件校准补偿输入失调与温漂。
  • 参照原厂数据手册:以上为常用设计要点与典型参数摘要,具体极限参数、引脚定义、典型应用电路与测试条件请以 ON Semiconductor 官方数据手册为准。

MC34074DR2G 以其四通道集成、宽电源范围和均衡的噪声/带宽特性,适合空间与成本受限但要求多路模拟放大的系统,是传感信号调理、通用滤波与缓冲应用的常用选择。