ECH8697R-TL-W 产品概述

一、产品简介

ECH8697R-TL-W 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款双路 N 沟道场效应管（MOSFET），两管为共漏（drains 共接）配置，封装为紧凑型 SOT-28FL。器件针对 24V 级别电源系统设计，单器件连续漏极电流规格为 10A，适合小型电源开关、功率分流与电源保护等应用场景。

二、主要电气性能

• 漏源电压（Vdss）：24V
• 连续漏极电流（Id）：10A（单管）
• 导通电阻（RDS(on)）：11.6 mΩ @ Vgs = 4.5V、Id = 5A
• 阈值电压（Vgs(th)）：典型 1.3V
• 总门极电荷（Qg）：6 nC @ Vgs = 4.5V
• 功耗耗散（Pd）：1.6W（封装限值，受 PCB 散热影响）
• 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃

三、特性与优势

• 低导通电阻（11.6 mΩ@4.5V）带来较低的导通损耗，有利于提高效率和降低发热。
• 较小的门极电荷（6 nC）有利于高频开关应用时减小驱动损耗和缩短开关时间。
• 阈值电压约 1.3V，具备一定的逻辑电平驱动能力，可与 4.5V 左右的驱动电平配合使用。
• 共漏双管结构便于在小尺寸封装中实现双路对称开关、互补保护或理想二极管/负载测量电路设计。

四、封装与热特性

• 封装：SOT-28FL（小体积，适合空间受限场合）
• 功耗 Pd 为 1.6W，实际热性能高度依赖 PCB 的铜箔面积与热过孔布局。建议在高散热需求场合增大顶层/底层铜箔、采用散热过孔并在布局上尽量缩短电流回路以降低热阻。

五、典型应用

• 电池保护与电源切换（双路供电管理、负载切换）
• 便携设备 DC-DC 开关元件
• USB/外设电源开关与多路电源分配
• 小功率电机驱动与电流限流电路
• 高侧/低侧开关场合（根据电路拓扑利用共漏结构实现所需连接）

六、设计注意事项

• 虽然阈值电压较低，但为保证低 RDS(on) 和可靠开通，推荐门极驱动电压在 4.5V 或更高的逻辑驱动级别下工作，具体应参照完整数据手册中的 RDS(on) 与 Vgs 关系曲线。
• 封装功耗有限，连续大电流应用需做热沉与板级散热设计，并进行温漂与 SOA 验证。
• 注意开关瞬变和感性负载产生的电压尖峰，应在必要时增加吸收器件（RC、TVS）或在门极串联电阻以抑制振铃。
• 如需详细的最大额定值（例如 Vgs 最大限值、脉冲额定值、开关时序和 SOA 曲线），请参考 ON Semiconductor 官方数据手册。

如需样片、电气波形图或参考电路（例如共漏双管用于理想二极管或半桥改造的电路示意），可进一步提供具体应用场景以便给出更详细的设计建议。