型号:

LRB751V-40T1G

品牌:LRC(乐山无线电)
封装:SOD-323
批次:两年内
包装:编带
重量:-
其他:
-
LRB751V-40T1G 产品实物图片
LRB751V-40T1G 一小时发货
描述:肖特基二极管 370mV 30V 500nA 30mA
库存数量
库存:
4115
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0643
3000+
0.051
产品参数
属性参数值
正向压降(Vf)370mV
直流反向耐压(Vr)30V
整流电流30mA
反向电流(Ir)500nA
工作结温范围-40℃~+125℃
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)200mA

LRB751V-40T1G 产品概述

一、产品简介

LRB751V-40T1G 是乐山无线电(LRC)推出的一款小功率肖特基整流二极管,采用 SOD-323 封装,专为低电压、高效率、小尺寸电子设备中的整流与反向保护设计。该器件具有极低的正向压降和极小的反向泄漏,适合便携式和低功耗系统使用。

二、主要技术参数

  • 工作结温范围:-40 ℃ ~ +125 ℃
  • 正向压降 (Vf):典型 370 mV(在典型测试条件下)
  • 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):200 mA(一次性冲击峰值)
  • 直流反向耐压 (Vr):30 V
  • 反向电流 (Ir):典型 ≤ 500 nA(在额定反向电压条件下)
  • 额定整流电流:30 mA(连续正向电流)
  • 封装:SOD-323,表面贴装

三、核心性能与优势

  • 低正向压降:Vf 约 370 mV,相较于普通整流二极管可显著降低导通损耗和热耗,提升系统能效,尤其在低电压轨(如 1.8V、3.3V)中更为明显。
  • 低反向泄漏:Ir ≤ 500 nA,有利于降低待机功耗和保持电池供电系统的电流寿命。
  • 小型封装:SOD-323 占板面积小,适合空间受限的移动设备与消费类电子。
  • 良好的浪涌耐受能力:200 mA 的非重复峰值浪涌使其能承受短时突发电流,适用于开机或瞬态冲击场景。

四、典型应用场景

  • 电池供电设备中的反向保护和低压整流(便携式仪表、可穿戴设备、遥控器等)。
  • 低电压、高效率电源管理中的续流或防串联损耗场合。
  • 信号线和小功率电源线的反向极性保护、浪涌钳位。
  • 小电流整流模块与能量回收电路(需注意其连续电流限制)。

五、封装与热管理

SOD-323 为常见的微小封装,焊接后热阻较大,连续大电流应用时容易出现热量集中。设计时需注意:

  • 在 PCB 布局上为二极管的焊盘提供适当的铜箔面积与散热走线,必要时增加下沉铜或过孔以改善散热。
  • 对于长期连续 30 mA 负载,应进行热仿真或实测,以确保结温在 -40 ℃ 到 +125 ℃ 规范范围内。
  • 焊接工艺推荐遵循无铅回流焊规范,控制峰值温度,并避免反复热循环造成封装应力。

六、设计与选型建议

  • 若电路中存在持续较大电流(>30 mA)或需要更高浪涌能力,应选择更大封装或额定电流更高的肖特基器件。
  • 在低压差场合(例如 3.3V 或更低)使用可明显提升效率,但需确认 Vf 在工作电流下的具体数值;在数据手册中查找 Vf 对电流的典型曲线。
  • 对于对反向漏泄特别敏感的低功耗系统,建议在系统级进行温度与电压下的漏电测试,验证 Ir 在实际工作条件下是否满足需求。
  • 布局时将此器件尽量靠近需要保护或整流的节点,最短走线以降低寄生阻抗和突发电压。

七、采购与替代注意

LRB751V-40T1G 通常以卷带(Tape & Reel)形式供货,适合SMT贴片生产线使用。选型时建议向供应商索取最新的数据手册以确认所有测试条件和极限参数。若需替代器件,应匹配以下关键参数:Vr ≥ 30 V、Vf 足够低、Ir 同量级或更小、额定平均电流 ≥ 30 mA,并考虑封装和热特性是否一致。

总结:LRB751V-40T1G 是一款面向小功率、低电压应用的低压降肖特基二极管,凭借其低 Vf、低 Ir 与小型 SOD-323 封装,适合便携与低功耗电子产品中作为整流与反向保护元件使用。在实际应用中需注意连续电流和散热约束,按具体工作点验证电气和热性能以确保长期可靠性。