型号:

MCP6002T-I/SNVAO

品牌:MICROCHIP(美国微芯)
封装:SOIC-8-150mil
批次:22+
包装:编带
重量:-
其他:
-
MCP6002T-I/SNVAO 产品实物图片
MCP6002T-I/SNVAO 一小时发货
描述:通用-放大器-2-电路-满摆幅-8-SOIC
库存数量
库存:
29
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3300
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.2
3300+
1.14
产品参数
属性参数值
放大器数双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)7V
轨到轨轨到轨输入,轨到轨输出
增益带宽积(GBP)1MHz
输入失调电压(Vos)4.5mV
输入失调电压温漂(Vos TC)2uV/℃
压摆率(SR)600V/ms
输入偏置电流(Ib)1pA
输入失调电流(Ios)1pA
噪声密度(eN)28nV/√Hz@1kHz
共模抑制比(CMRR)76dB
静态电流(Iq)100uA
输出电流23mA
工作温度-40℃~+125℃
单电源1.8V~6V

MCP6002T-I/SNVAO 产品概述

一、产品概述

MCP6002T-I/SNVAO 是 MICROCHIP(美国微芯)推出的双路通用运算放大器,封装为 SOIC-8(150 mil)。器件支持轨到轨输入与轨到轨输出,适合低电压单电源系统,特别适用于便携式与工业级传感前端、ADC 驱动及通用信号处理场景。

二、主要性能特点

  • 供电与温度:单电源工作范围 1.8V ~ 6V,最大电源差 VDD–VSS 可达 7V;工作温度范围 −40℃ ~ +125℃,满足工业级要求。
  • 直流与偏置:典型输入失调电压 Vos = 4.5mV,失调温漂 Vos TC = 2µV/℃,输入偏置电流 Ib / 输入失调电流 Ios 均为 1pA,适合高阻抗传感器接口。
  • 动态性能:增益带宽积(GBP)1MHz,压摆率(SR)600 V/ms,带来快速的瞬态响应与较快的输出摆幅。
  • 输出能力与功耗:输出短时驱动电流可达 23mA,静态工作电流 Iq 约 100µA(整芯片),在低功耗设计中具有优势。
  • 抗干扰与噪声:共模抑制比 CMRR = 76dB,噪声密度 eN = 28 nV/√Hz @1kHz,适用于普通精度信号链的噪声预算。

三、典型应用场景

  • 电池供电和便携式设备中的信号调理与缓冲器。
  • 传感器接口(电压型传感器、光电、温度等)和高阻抗信号采集。
  • ADC 驱动、滤波器、比较与差分放大等通用模拟电路。
  • 工业控制与数据采集系统,需宽温范围与稳健性能的场合。

四、封装与订购信息

  • 品牌:MICROCHIP(美国微芯)
  • 封装:SOIC-8,150 mil 尺寸,便于标准 PCB 工艺与双列直插布局。
  • 型号:MCP6002T-I/SNVAO(双路放大器、轨到轨、工业温度等级)。

五、选型与使用建议

  • 若系统对噪声或精度要求更高,可考虑更低噪声或更高 CMRR 的放大器;若需更高带宽或更大输出电流,则选用 GBP 更高或驱动能力更强的型号。
  • 由于器件为轨到轨输入输出,但在极限电源电压下输出摆幅可能受负载影响,实际设计中建议留一定裕量以保证线性范围与采样精度。
  • 在高阻抗传感器接口中,器件超低偏置电流是优势,但注意 PCB 泄漏与输入防护设计以保持测量精度。

如需进一步的典型电路、引脚图或参数曲线,可提供具体应用场景,我将协助给出参考电路与布局建议。