KEMET C1206C222KGRACAUTO 产品概述

一、产品简介

C1206C222KGRACAUTO 是 KEMET（基美）制造的一款高压陶瓷片式电容器，标称容量 2.2nF（2200pF），额定直流电压 2000V（2kV），初始容差 ±10%，介质为 X7R，封装为 1206（英制）/ 3216（公制）。该系列为自动贴装（Tape & Reel）包装，适合高速 SMT 生产线。

二、主要参数

• 容量：2.2 nF（2200 pF）
• 容差：±10%（在 25°C 下）
• 额定电压：2000 V DC
• 介质：X7R（温度范围 -55°C 至 +125°C，温度引起的容值变化典型可达 ±15%）
• 封装：1206（3216 公制）
• 品牌：KEMET（基美）
• 包装：自动化卷带（适用于贴片机）

三、性能与特点

• 高压等级：2kV 设计适用于高压滤波、脉冲回路与高压供电系统。
• 稳定性与温度特性：X7R 在宽温区间提供良好容量密度，适合对温漂要求不苛刻的场合。
• 体积与自动化兼容：1206 大小兼顾电压和机械强度，标准卷带包装支持自动贴装。
• 低等效串联电阻（ESR）和较短的导通路径，使其适合中频至高频下使用，但 X7R 相对于 C0G/NP0 在精密时间基或超低损耗应用上性能略逊。

四、典型应用场景

• 高压电源滤波与旁路（如高压扫描、离子泵、静电发生器）
• 高压分压器与测量电路中的旁路与稳定元件
• 脉冲放电与防耦合/吸收电路（需结合浪涌能量考虑）
• 高频开关电源的高压侧滤波元件（需注意 DC bias 导致的容量下降）

五、设计与装配注意事项

• DC 偏压下容量下降显著：陶瓷 X7R 在高电场下会发生明显的容量衰减，实际工作容量应参考 KEMET 数据手册中的 DC bias 曲线并留出裕量。
• 温度影响：X7R 在极端温度下容值会波动，若电路对精度敏感，建议选用 C0G/NP0 或通过温度补偿设计处理。
• 板上间距与爬电距离：2kV 应遵循相关安全与爬电距离规范（如 IEC/UL 要求），在高压侧合理布局，避免沿面闪络。
• 焊接工艺：适用于无铅回流焊，推荐按 JEDEC/IPC 的回流曲线控制峰值温度（典型上限 260°C），避免长时间过热。长时间暴露在潮湿环境下需预烘烤以防焊接缺陷。
• 机械应力：避免 PCB 弯曲和焊接应力集中，1206 封装在应力过大时可能出现裂纹，焊盘设计应减少应力传递。

六、选型建议与替代方案

• 若电路需极高稳定性与极低损耗，考虑采用 C0G/NP0 型陶瓷或薄膜电容（容量/体积和电压等级需权衡）。
• 若 DC 偏压下容量不足，可并联多个器件或选择更大体积/更高介电常数但低偏压敏感性的元件。
• 采购与物料管理：使用带有 AUTO 后缀的卷带包装可提升 SMT 线效率，确认物料的库齿和保质期管理以减少装配风险。

如需获取更详细的 DC bias、ESR、耐压测试曲线或可靠性数据，建议参考 KEMET 官方 datasheet 或联系供应商技术支持。