MBRM120ET1G 产品概述

一、产品简介

MBRM120ET1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款肖特基势垒二极管，定位于低压快速整流与反向保护应用。该器件采用小型表面贴装封装（DO-216AA），具有较低的正向压降和较小的反向漏电流，适合对效率与热量管理有要求的低压电源与功率管理场景。

主要基础参数（典型/额定值）：

• 正向压降 Vf：0.53 V @ If = 1 A
• 额定反向耐压 Vr：20 V
• 平均整流电流：1 A
• 反向漏电流 Ir：10 μA @ Vr = 20 V
• 非重复峰值浪涌电流 Ifsm：50 A
• 工作结温范围：-65 ℃ ~ +150 ℃
• 封装：DO-216AA（表面贴装）
• 品牌：ON（安森美）

二、主要性能参数说明

• 正向压降（Vf = 0.53 V @1 A）：较低的 Vf 有助于降低导通损耗，提升转换效率，尤其在低电压、大电流场景中能显著降低功耗和发热。
• 反向耐压（Vr = 20 V）：适用于 12 V 及以下的低压系统中作为整流或保护器件使用。
• 反向漏电流（Ir = 10 μA @20 V）：较小的漏电流有利于降低待机功耗和提高系统静态性能，但需注意漏电随温度上升而增加。
• 峰值浪涌能力（Ifsm = 50 A）：短时间内能够承受较大的冲击电流，适用于有启动浪涌或突发电流的场合，但需限制重复或长时浪涌。
• 温度范围（-65~+150 ℃）：宽温区间适应工业及高温环境，但器件在高温下需适当降额使用。

三、器件优势

• 能效高：肖特基结构带来较低正向压降，减少导通损耗，适合能效敏感设计。
• 快速响应：无显著恢复时间（相比普通整流二极管），适合高频开关和快速切换场景。
• 小体积、易封装：DO-216AA 表面贴装适合自动化回流焊工艺，便于大批量生产与高密度 PCB 布局。
• 良好的浪涌承受能力：短时高电流冲击可通过 Ifsm 指标评估，增强对突发事件的鲁棒性。

四、典型应用场景

• 开关电源的低压整流与续流二极管。
• 电池供电设备的反向极性保护与电源路径控制。
• 便携设备、移动电源和通信设备的电源管理模块。
• 低压 DC/DC 转换器的输出整流或同步降压器的补偿路径。
  注意：由于 Vr = 20 V，器件在汽车高压瞬变或有较大电压尖峰的环境中应配合抑制元件（如 TVS）或选型更高耐压器件。

五、设计与 PCB 布局建议

• 散热处理：尽管额定平均电流为 1 A，实际工作时应根据 PCB 铜箔面积与散热条件进行热降额设计。增加焊盘铜箔面积或使用散热铜柱可降低结温。
• 布局靠近热源：若用于整流或续流，应尽量靠近电源输出或开关器件，缩短走线以减小寄生感抗与功耗。
• 浪涌保护：若电路存在频繁浪涌或大电流启动，应评估 Ifsm 是否满足并在必要时加入限流或熔断保护。
• 焊接与回流：遵循厂商推荐的回流焊工艺曲线与湿度控制，避免因温度循环或潮湿引起的封装损伤。
• 温度降额与漏电：考虑到反向漏电随温度上升增加，关键低功耗通断路径需在高温条件下验证漏电是否满足系统要求。

六、选型与注意事项

• 若系统工作电压接近或超过 20 V，应选择更高 Vr 的型号以获得足够的安全裕度。
• 对于需要更低正向压降或更高电流承载能力的设计，可比较同厂更高电流等级或不同封装型号。
• 在高环境温度或连续高电流场景下，查阅并依据器件的功耗-结温（Pd-Tj）曲线进行降额设计。
• 留意反向漏电随温度变化的影响，特别在低功耗或电池供电应用中。

七、可靠性与存储

• 器件工作结温范围宽，适合工业级应用；但在极端高温下请确保合理的热管理。
• 保存与使用时遵守湿敏等级（MSL）和 ESD 防护要求，避免因吸湿回流焊导致封装损伤或焊接缺陷。
• 在实际应用中建议参照安森美官方数据手册获取完整的电气特性曲线、热阻与机械尺寸，以便做准确的热设计与可靠性评估。

总结：MBRM120ET1G 以其低正向压降、较低漏电流及良好的浪涌能力，适合各类低压整流与电源保护场景。为确保长期可靠性，应结合 PCB 散热、浪涌条件和工作温度等因素进行综合评估与适当降额设计。